上篇Extraction LC model – Inductance model說明如何去萃取元件電感值，這篇要提出的就是電容值的萃取方法。
如上篇所說明的，我們利用雙線傳輸線只有L、C的一階等效電路模型，如下圖所示。
再來需要將雙線的等校電路的一邊終端開路，就可以去忽略自感及互感值，並使用Y參數去推導出自容及互容值，如下圖所示。
以上簡單的利用雙線的等校電路，去取得電容值的萃取。
下面做的範例，就是討論電容的萃取方法，利用Ansys的HFSS + Designer，去應用上面的電容萃取公式，與Ansys Q3D計算的結果去做簡單的比較。
Capacitance
這裡的範例使用半導體用的矽基板上，長出金屬電容，電容模型的材料參數，如下圖所示。
詳細的模型尺度設定，請下載下面連結的3D模型。
Link : 3D模型
將上面的電容模型，導入到Ansys HFSS上面去模擬，再將S參數存成Touchstone files (SNP file)，再將這個S2P檔導入到Ansys Designer去做公式計算，如之前提過的電容萃取公式，去設定Ansys Designer如下圖所示。
將電路接好，並輸入電容萃取公式，可以很快的得到電容與頻率的值，如下圖所示。
計算的結果互容值在1GHz的頻率點為-0.446pF，其另外自容值C1/C2分別為0.5426 pF/0.5454 pF。
電容與電感一樣，都會有雜散效應，因為元件的雜散效應導致產生自我諧振頻率(Self Resonant Frequency, SRF)，此電容元件SRF約在5GHz產生，大於自我諧振頻率的電容器其物理意義為電感。
接下來使用Ansys Q3D去模擬這個電容模型，這裡設定分成三個NET，Net-1為治具，Net-3為電容-1，Net-4為電容-2，計算電容比較好設定，不需要設定源(Source)/汲(Sink)，就可以模擬，再來設定模擬頻率點為1GHz，如下圖所示。
Q3D計算的結果如下圖所示，其NET-1治具的電容值為0.25pF @1GHz、NET-3電容-1的電容值0.4028 pF @1GHz、NET-4電容-2的電容值0.4046 pF @1GHz，兩電容本體的互容值為-0.317 pF @1GHz，以上的值都為局部電容(Partial Capacitance)，所以萃取的值都為個別效應，並不包含治具效應。
Note : 細心的讀者一定會想，它萃取的是局部電容(Partial Capacitance)，那它的參考地(Ground)在那裡，Q3D的計算方式是將參考地(Ground)設定在無限遠的地方，就跟靜電學裡的假定一樣。
如果將治具效應設定為Ground Net有設定有設定源(Source)/汲(Sink)的電容值，這樣的設定是最符合量測的方法及物理意義，在頻率1GHz萃取出來的互容值為-0.317 pF、C1/C2分別為0.40248 pF /0.40468 pF。(如下圖所示)
Conclusion
1.Ansys HFSS+Designer的分別在1GHz得到Cm/ C1/ C2的電容值為-0.446pF/ 0.5426 pF/ 0.5454 pF，Q3D萃取出來的分別在1GHz得到Cm/ C1/ C2的電容值為-0.317pF/ 0.40248 pF/ 0.40468 pF，兩者計算的差值分別小於0.15 pF。
2. Ansys Q3D可以很快的計算出R/L/C/G的值，不用在另外寫公式去計算，在需要作等效電路的應用上，可以非常的方便使用。