余怡然（Rebecca Yu）：

相较于前几年由工艺改善带来良率提升，2024年碳化硅衬底材料降价主要还是由于产能扩张，衬底厂商间的竞争加剧。24年的6英寸碳化硅导电型衬底全年降幅约达30%，部分厂商报价低于3千元每片，已经逼近大多数厂商的成本线。今年虽然有延续了去年的降价趋势，但整体来看比去年下降走势放缓，降价空间有限，在车规级和定制化产品类价格依旧坚挺，而低端和通用性应用的衬底价格竞争会相对激烈一些。

余怡然（Rebecca Yu）：

长期来看6英寸切换到8英寸是大势所趋，国内8英寸衬底产能增速非常快，但和6英寸总量相比体量仍有限。理论上8英寸单位面积更大，折算到单颗芯片中长期有明显的成本摊薄优势，但是目前良率、设备折旧、工艺成熟度仍有进步空间，对于下游厂商来说暂时没有量产降本的明显效果。同时，从6英寸切换到8英寸产品需要产品重新导入，需要一定周期，预计8英寸放量仍需一段时间。从应用上来看，新能源汽车是碳化硅功率器件最大的下游，需求稳定增长，从6英寸切换到8英寸经济性优势明显，有望最先成为8英寸量产落地的场景。

余怡然（Rebecca Yu）：

碳化硅的核心材料优势在于其优异的高耐压特性，使其在千伏以下的中低压市场更易出现产品同质化和价格竞争。相比之下，电网、轨道交通等高压至超高压领域对晶体质量、器件结构和制造工艺的要求显著更高，技术门槛与可靠性标准远超常规功率器件，因此能够维持更高的价值量与更稳健的价格体系。同时，在车规级应用中，碳化硅模块必须经过长周期的可靠性验证与功能安全认证，并与主机厂在平台生命周期内保持紧密协同。这种深度绑定特性显著提高了供应替代成本，使得该领域的竞争相对温和、价格韧性更强。

余怡然（Rebecca Yu）：

AI时代的快速发展，全球数据中心正经历算力和功率密集度的爆发性增长。英飞凌最新推出的数据中心PSU广泛采用碳化硅（SiC）功率器件，以提升能效、功率密度和系统可靠性。同时，英伟达宣布自2027年起逐步部署800V高压直流（HVDC）数据中心架构，为SiC器件在高压、高功率应用中的采用提供了明确的市场驱动力。

尽管如此，从整体市场体量来看，新能源汽车在历经过去几年的发展已形成稳定且规模客观的市场基础，并在未来3–5年内保持SiC最大的应用领域；相比之下，数据中心市场虽然目前体量尚小，但由于高功率、效率驱动的采纳加速，以及HVDC架构落地带来的系统升级需求，其增速将有望成为SiC应用领域中最快的。