1)核心环节突破:
细分领域
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国产化率
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突破方向
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光刻机供应链
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<10%
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浸没式DUV子系统研发
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刻蚀/薄膜设备
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30%-50%
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20nm以下多重曝光工艺适配
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量检测设备
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<20%
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颗粒度与均匀性技术补齐
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