已投动态丨重庆欣晖材料技术有限公司新申请《用于气相沉积的基底以及气相沉积的方法》专利

2025年02月07日，国家知识产权局公布了一项由重庆欣晖材料技术有限公司（以下简称“欣晖材料”）申请的《用于气相沉积的基底以及气相沉积的方法》专利，专利申请公开号为CN119392203A，申请日期为2024年10月24日。本专利公开了一种用于气相沉积的基底以及气相沉积的方法，该基底包括主体和一个或多个支臂，“主体”内设有第一空腔，“支臂”内设有第二空腔，第二空腔的第一端口与第一空腔连通，第二空腔的第二端口至少用于输入与基底反应的反应气体。该专利的实施能显著提升气相沉积反应效率。

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种通过气相化学反应在基体表面沉积固体薄膜的技术。其基本原理是将气态前驱体引入反应室，在特定条件下（如高温、等离子体辅助等）发生化学反应，生成固态沉积物并附着在基体表面。该技术广泛运用于半导体工业、机械制造、光学、纳米材料制备、航空航天等领域。

欣晖材料成立于2022年08月29日；注册地址：重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号10层1021室；注册资本：1746.571万人民币；法定代表人：董天松。

欣晖材料主要从事半导体装备部件及材料的研发、生产及销售，“硅及碳化硅部件项目”处于建设过程中。项目生产基地位于重庆市两江新区鱼复工业园区，占地面积约135亩，建筑面积约10万平米，计划总投资约25亿元。项目满产后，预计员工人数可达750人，硅及碳化硅部件产量可达24.16万个/年，年产值约21.20亿元。届时欣晖材料将成为最具全球竞争力的半导体装备部件与材料产业基地。