已投动态丨重庆欣晖材料技术有限公司新申请“用于半导体结构的制备方法以及半导体结构”发明专利

2025年08月08日，国家知识产权局公布了一项由重庆欣晖材料技术有限公司（以下简称“欣晖材料”）申请的“用于半导体结构的制备方法以及半导体结构”专利，专利申请公开号为CN120443136 A，申请日期为2025年04月14日。本公开提供了用于半导体结构的制备方法以及半导体结构；所述制备方法包括：形成电阻率彼此不同的层叠的多个沉积层；对所述多个沉积层进行分离，以得到相应的多个半导体结构。

传统方法制备不同电阻率的半导体结构需分炉次进行，其生产工艺具有停机时间长、生产效率低、成本高、易引入误差和材料浪费等固有缺陷。本制备方法可以同一炉次制备多种电阻率结构，减少停机时间；避免分炉次导致的材料浪费和工艺复杂性，节约成本；隔离层设计减少掺杂扩散，保证电阻率精确性；分离过程低损伤，平坦化处理优化表面质量，产品良率提高。

本专利通过“掺杂调控+界面工程”实现单炉次多电阻率半导体结构制备，突破传统工艺瓶颈，兼顾效率、成本与性能。可用于碳化硅（SiC）半导体制造，尤其是需批量生产不同电阻率衬底的场景（如功率器件、传感器）。

欣晖材料成立于2022年08月29日；注册地址: 重庆市江北区鱼嘴镇长美一支路18号；注册资本：1746.571 万人民币；法定代表人：朱攀。

欣晖材料主要从事半导体装备部件及材料的研发、生产及销售，“硅及碳化硅部件项目”处于建设过程中，项目生产基地位于重庆市两江新区鱼复工业园区，项目愿景是成为最具全球竞争力的半导体装备部件与材料产业基地。

“硅及碳化硅部件项目”分三个阶段建设，2025年4月29日，全国建设项目环境信息公示平台发布了“重庆欣晖材料技术有限公司-重庆欣晖硅及碳化硅部件项目（一阶段）竣工环境保护验收公示”。