已投动态丨无锡锡产微芯半导体有限公司新取得《能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法》的发明专利

2025年2月18日，国家知识产权局公布了一项由无锡锡产微芯半导体有限公司申请的发明专利《能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法》，专利授权公开号为CN118571939B，申请日期为2024年07月12日。本发明能有效降低接触电阻，降低功率半导体器件的导通损耗，标志着公司在半导体技术研发领域取得了新的重大突破。

功率半导体器件是现代电子设备的核心部件之一，其性能直接影响设备的效率和可靠性。公司的这项专利通过优化器件的接触结构，显著降低了接触电阻，从而提升了器件的导电性能和整体效率。这一技术的广泛应用前景，尤其是在新能源汽车、可再生能源以及智能设备等领域，将为公司带来巨大的市场潜力。

无锡锡产微芯半导体有限公司成立于2019年6月4日，位于江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园。公司由无锡产业发展集团有限公司、无锡威孚高科技集团股份有限公司、无锡市太极实业股份有限公司、无锡思帕克微电子合伙企业（有限合伙）、初芯半导体科技有限责任公司五名股东初始投资设立，后续进行了多轮融资，目前注册资本330,071.43万人民币。公司是一家面向全球市场的IDM半导体公司，专注于传感器、功率器件、模拟器件及射频器件的设计、生产和销售。公司产品广泛应用于消费电子、工业电子、汽车电子、安全及通信等领域。