已投动态丨重庆欣晖材料技术有限公司新申请“半导体结构及其制造方法”发明专利

2025年08月01日，国家知识产权局公布了一项由重庆欣晖材料技术有限公司（以下简称“欣晖材料”）申请的“半导体结构及其制造方法”专利，专利申请公开号为CN120413411A，申请日期为2025年04月03日。本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：将载气以及含有硅元素和碳元素的反应气体通入反应腔室中，以在碳层的一侧形成初始第一碳化硅层，初始第一碳化硅层中硅元素的摩尔含量大于50％；升高反应腔室的温度，初始第一碳化硅层中部分硅元素扩散至初始第一碳化硅层和碳层之间的界面处，并和部分碳层发生反应，以形成第二碳化硅层；其中，发生反应后的初始第一碳化硅层形成第一碳化硅层，第二碳化硅层设于碳层和第一碳化硅层之间。

专利提出的“两步碳化硅层”工艺（先沉积富硅SiC，再经高温扩散形成双层结构）能够显著降低晶格失配缺陷，提高SiC环/电极的耐等离子体冲刷寿命。公司已将该技术列为“硅及碳化硅部件项目”的核心工艺路线，意味着未来量产的碳化硅耗材在关键客户端（如3D NAND、先进逻辑厂）的验证周期有望缩短20–30%，从而加快国产替代进程。

同时，工艺在同一反应腔中连续完成，省去传统的外延转移步骤，可降低8–10%的直接材料损耗和5%左右的设备折旧。

欣晖材料成立于2022年08月29日；注册地址: 重庆市江北区鱼嘴镇长美一支路18号；注册资本：1746.571 万人民币；法定代表人：朱攀。

欣晖材料主要从事半导体装备部件及材料的研发、生产及销售，“硅及碳化硅部件项目”处于建设过程中，项目生产基地位于重庆市两江新区鱼复工业园区，项目愿景是成为最具全球竞争力的半导体装备部件与材料产业基地。

“硅及碳化硅部件项目”分三个阶段建设，2025年4月29日，全国建设项目环境信息公示平台发布了“重庆欣晖材料技术有限公司-重庆欣晖硅及碳化硅部件项目（一阶段）竣工环境保护验收公示”。