i23 1700V 900A系列IGBT模块采用经典ED封装,i23芯片采用微精细沟槽栅技术,实现超低损耗Eon+Eoff,同时也具有高短路能力,以解决芯片高电流密度面临的挑战。支持长期运行结温175°C(Tvjop),集成NTC温度传感器,确保高温工况下的稳定运行,显著增加了器件的输出能力,大幅提高系统的功率密度,为风电、工控和新能源等领域带来突破性的解决方案。
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赛晶半导体i23 1700V 900A系列IGBT模块采用经典ED封装,i23芯片采用微精细沟槽栅技术,实现超低损耗Eon+Eoff,同时也具有高短路能力,以解决芯片高电流密度面临的挑战。支持长期运行结温175°C(Tvjop),集成NTC温度传感器,确保高温工况下的稳定运行,显著增加了器件的输出能力,大幅提高系统的功率密度,为风电、工控和新能源等领域带来突破性的解决方案。
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