在各家车企大显神通从圈内火到圈外时，赛晶半导体勇做行业一股“清流”，抢占新能源汽车高地，始终践行“不内卷，做自己”的战略方针，坚持发扬用“芯”精神，深耕新能源汽车领域。
EV系列模块
随着新能源汽车渗透率的不断提升，各厂家对电驱效率的要求在提高，以更好地符合国家的“碳中和”的战略目标。而第三代半导体-SiC器件的出现就是符合这一趋势。同时SiC器件的应用还可以提升新能源汽车的续航里程，从而会进一步扩大新能源汽车的推广和市场占比。
为了更好地发挥SiC的性能,使其向更高的电压和频率性能层次跃进，尽快实现更高的系统效率、更快速的开关、更低的损耗，以及更出色的热管理，我们研发出了新型封装HEEV车规级SiC模块。HEEV模块封装紧凑，体积仅为行业内头部企业塑封模块体积的一半，旨在提升电驱系统的功率密度；通过内部端子回路的优化设计，减小了模块的杂散电感，并提升了芯片的均流性能；封装结构采用了无铜底板设计，去掉了传统封装中底板和DBC之间的焊接层，大幅提升了模块的功率循环寿命。同时推出EVD封装 SiC模块，兼容市场主流带有pin-fin底板的6合1封装，方便客户在现有设计的基础上进行直接替代测试，推进开发进度。
HEEV封装和EVD封装的SiC模块均有多个电流等级可供选择，Rds(on)从4mΩ到2mΩ，可以为120kW到250kW的乘用车电驱提供高性价比的解决方案。
赛晶于今年8月首发1200V SiC芯片，以追求高可靠性为首要目标，满足车规级芯片认证要求，实现芯片良好的温度特性以及低导通电阻，旨在助力新能源汽车提升效率并向更高层次迈进。
EVD SiC模块特点
· 采用1200V SiC MOSFET芯片，适合800V高压平台应用
· Rds(on)低至2mΩ@25℃，适用电驱功率高达250kW
· 1200V SiC MOSFET模块标准汽车封装
· 设计有散热柱底板的6合1封装模块
HEEV SiC模块特点：
· 采用1200V SiC MOSFET芯片，适合800V高压平台应用
· Rds(on)低至2mΩ@25℃，适用电驱功率高达250kW
· 杂散电感极小，适合 SiC高速开关
· 模块体积非常紧凑，有助于实现电驱的轻量化和高功率密度
· 无铜底板直接液冷设计，以保证更高的功率循环寿命和更低的热量
SiC MOSFET芯片特点：
· 顶部金属化，以便进行键合或者DTS
· 静态性能匹配先进的汽车MOSFET产品性能需求
· 动态开关性能适用于EVD和HEEV模块的应用
· 高可靠性、高鲁棒性
· 满足AEC-0101要求
· SCSOA,HTRB & H3TRB
这三款产品是赛晶半导体专业的技术团队带来的“EV全家桶”，今后将持续为您带来新产品，敬请期待！
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