武汉国家存储器基地项目（一期）
存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被美、日、韩所垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》颁布实施，部署今后十年产业战略；2015年7月，发展存储器芯片正式被确定为国家战略；2017年1月1日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”项目在武汉东湖高新区正式开工。服务国家战略，中电四公司用实际行动助力产业发展。
项目名称：武汉国家存储器基地项目（一期）
项目地址：武汉光谷未来科技城内
承包范围：本标段项目是为长江存储科技有限责任公司国家存储器基地项目(一期)，在2号建筑（生产支持厂房1-OS1）、2B 、2C 、2D 连廊的非洁净区提供完整的一般通风、事故通风、防排烟、空调系统包(AC-B) 系统。包含暖通、给排水、气体动力（LCHW）、供电、自控和空间管理。
由于本项目为国家战略项目，工期紧，质量要求高，工程所涉及的平行单位和专业队伍较多，交叉作业量大，协调难度大，在工序上存在着相互制约、相互影响的情况。如何能够有序的衔接及配合，是项目部思考的难点。
①项目部进行有效的管理和协调，整体考虑，合理安排施工流程，合理高效制定好施工进度计划，对各专业队伍进行严格管理，确保整个工程施工的有序运转；
②充分做好项目前期准备工作，如材料采购计划，落实好品牌报审；提前启动，争取时间；
③施工队伍进场时，做好安全、技术交底、安装交底、施工方案报审，把握好关键施工程序和施工方法，做好首件确认和样板先行；
④强化过程控制措施具体化和工期保证措施，做好质量控制和进度控制；
⑤对施工影响因素进行原因分析，采取有效的控制措施。
本项目需吊装风机盘管1201台，由于参建单位多，吊顶空间狭小，导致配管难度增大，需要协调的问题多。每天上午所有工程师在总工赵松带领下到现场巡检，施工经理底猛常常主动去找业主、平行单位协商解决。主责工程师陈孝凯和刘茂源严格按照进度计划执行，每天督促各专业队伍在保证质量的前提下按时完成各项施工节点，有时遇到施工难题，他都第一时间去协调给出解决方案。文档递交处同项目施工地距离遥远，且文档管理要求严格，2017届新员工李智稳在身兼项目助理的同时认真做好文档管理等工作。
由于现场狭窄、天气原因，无论材料进场还是堆放，都需提前沟通规划，大宗材料入场困难，空调设备无法吊装，严重影响工期。为保证施工节点，全项目人员即使牺牲休息时间也要迎难而上。
为解决场地不足的问题，项目部员工采用部分材料场外加工预制的方法来减少现场组装量；为减少碰撞问题以及保证我方有良好的施工条件，工程师每天去现场巡查并参照其他单位图纸，做到问题早发现早解决。各工程师和施工队在发现问题后立即向上汇报并提出解决方案，尽可能地减少返工与移位。为保证进度计划，项目经理尹鹏、安全经理吴庆川过年期间留守在项目，他们强烈的责任意识激励着项目部每一个人。
存储中国梦，从“芯”开始。芯片国产化是中国在信息安全自主可控政策的又一实践，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路产业持续得到国家政策扶持。而存储器作为集成电路产业的基础产品之一，产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著，国家存储器基地的建立，标志着在芯片国产化路上迈出了坚实而又重要的一步。
一个时代有一个时代的主题，一代人有一代人的使命。实干兴邦，实现伟大复兴的中国梦，每一个中国人都是主角。助力中国梦，实现自主芯片国产化，中电四公司将始终在中国和世界进步的历史大潮中，坚定不移把伟大工程、伟大事业进行到底。（文 / 李智稳 郭耀元）
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