随着导电型SiC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工程的提高外，还需要更先进的热场材料作为支撑。使用先进材料，长先进晶体。
气相组元过滤，调整局部温度梯度，引导物质流方向，控制泄露等都可以使用。可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层，形成局部不同流导的构件。
部分构件可以重复使用。
多孔碳化钽实拍图：
技术参数
孔隙率 ≤75% 国际领先
形状：片状、筒状 国际领先
孔隙度均匀
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