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30年来最严！美商务部会议解释对华芯片管制新规，台积电获一年豁免

极市平台

2022-10-14

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来源丨新智元

编辑丨极市平台

极市导读

美商务部工业和安全局（BIS）召开公共简报会议，将一周前的出口管制标准和「未核实清单」的扩大，再次做了解释和确认，台积电获一年豁免许可。>>

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10月7日，美国商务部工业与安全局(BIS)对出口管制政策进行了一系列更新。BIS称，此次更新为保护美国国家安全和外交政策利益而持续努力的一部分。

这次对出口管制条例的更新，旨在进一步限制中国获得先进计算芯片、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力。

这是近期美国商务部针对中国芯片和半导体行业的动作最大的一次打压活动。

时隔一周，当地时间10月13日，美国商务部再次召开在线公开简报，对出口管制条例的相关修订和实施规则做了进一步确认和解释。

简报由美国商务部助理部长Thea D. Rozman Kendler主持。

明确管控范围，扩大「未核实清单」

10月7日发布的BIS对出口管制条例的更新主要有两部分内容：

一是实施对先进计算和半导体制造的相关管制，列出了明确受到出口管制的9种情况：

1）将某些先进和高性能计算芯片及含有此类芯片的计算机商品加入《商业管制清单》（CCL）;

2）对运至中国的最终用途为超级计算机或半导体开发或生产的物项增加新的许可要求;

3）将《出口管理条例》(EAR)的适用范围扩大至某些外国生产的先进计算物项及外国生产的最终用途为超级计算机的物项;

4）将受制于许可证要求的外国生产物项范围扩大到实体清单上位于中国境内的28个现有实体;

5）将某些半导体制造设备和相关物项增加到《商业管制清单》;

6）对目的地为中国的半导体制造「设施」且能制造符合特定标准的集成电路设备，增加新的许可证要求。

由中国实体所有的设施将面临「推定拒绝」政策，而跨国公司所有的设施将基于逐案审查政策决定。具体标准为:

非平面晶体管结构16nm或14nm或以下(即FinFET或GAAFET)的逻辑芯片;
半间距18nm或以下的DRAM存储芯片;
128层或已上的NAND闪存芯片。

7）限制美国人员在没有许可证的情况下支持位于中国的某些半导体制造“设施”（semiconductor fabrication “facilities”）集成电路开发或生产的能力;

8）对开发或生产半导体制造设备和相关项目的出口物项增加新的许可证要求;

9）建立临时通用许可证(TGL)，对目的地为中国以外地区使用的物项，允许特定及有限的的相关制造活动，以减少短期内对半导体供应链的影响。

二是对此前的「未核实清单」进行了扩大，将长江存储、中国科学院大学、上海科技大学等31家中国公司、研究机构和其他团体列入所谓「未核实名单」，限制这些机构获得某些受监管的美国半导体技术的能力。

目前，美国商务部正在调查长江存储是否违反了美国出口管制规定，向此前已被列入黑名单的华为出售芯片。

而且，美国此次出台的政策进一步加强了「未核实清单」与「实体清单」的联系。如果不配合美国官员对被列入「未核实清单」的公司进行现场检查，美国将在60天后启动将其列入「实体清单」的程序。

另据报道，在出台了这两项出口管制收紧措施后，美国为台积电提供了一项豁免。台积电已经证实，美国政府已经批准了面向台积电的一年期许可，可以继续订购美国的芯片制造设备，用于扩大其在南京工厂的生产。

参考资料：

https://www.bis.doc.gov/index.php/about-bis/newsroom/2082

https://china.usembassy-china.org.cn/zh/commerce-implements-new-export-controls-on-advanced-computing-and-semiconductor-manufacturing-items-to-the-peoples-republic-of-china-prc/

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