近日，由芯榜与亚太芯谷科技研究院联合发布的“芯片与智能硬件融合创新贡献奖”榜单。至信微荣誉上榜，荣获2024年金榜奖-芯片与智能硬件融合创新贡献奖。
金榜奖是由芯榜组织每年举办的颁奖活动，旨在嘉奖在芯片与智能硬件融合领域做出杰出贡献的企业和个人。这一奖项的设立旨在推动技术创新、促进产业发展，并推动芯片与智能硬件融合领域的进步和繁荣。评审过程由芯榜和亚太芯谷研究院指导，整合了资料收集、数据统计、市场分析和专业测评，并由数十位半导体行业专家、企业家和投资人组成的评审委员会进行评定。评分涵盖企业技术特色、生态链布局、研发团队、企业估值、融资情况、市占率等多个方面，并基于TRIED模型进行量化与分析。
至信微电子副总经理王仁震作为企业代表参加活动，并在“芯片与智能硬件融合创新论坛”上就当今信息时代的智能化浪潮中数据中心电力消耗问题发表了主题演讲：“碳化硅器件在服务器电源行业中的应用：提升服务器电源效率与降低算力中心能耗”，引发了业界对提升服务器电源效率的深入思考。
王仁震先生指出，作为数据中心的基础设施，服务器电源在供配电系统中起着至关重要的作用。然而，随着智能化技术的迅猛发展，服务器所需的功率远远高于普通PC，因此如何提升服务器电源效率、降低算力中心能耗已成当务之急。据美国能源信息局数据显示，2020年美国数据中心耗电约占全美全年电力消耗的2.9%左右，而中国数据中心用电量更是呈现高速增长的趋势。面对如此庞大的用电量，业界亟需寻求有效的技术手段来提升服务器电源效率。
王仁震先生强调了碳化硅器件在解决能源效率问题上的重要作用。碳化硅器件能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率，从而为提升服务器电源效率提供了可行途径。他指出，采用更高功率密度的器件以及更高效率的电路拓扑结构是重要解决方法，而至信微电子在这一领域取得了长足的进展。
产品覆盖方面
截至24年一季度为止，至信微已成功推出从650V-3300V的全系列碳化硅MOSFETs产品，涵盖超过100多款产品，可满足各种用户场景的需求。为目前行业内产品比较全面的碳化硅MOSFETs供应商之一。
产品设计方面
至信微目前产品已平面结构为主，主要应用在汽车领域。未来将逐步拓展到立体结构领域，提高功率器件在工业、消费电子类领域的应用场景。
产品工艺方面
至信微创新设计工艺保证了产品性能的卓越和高可靠性。尽管制作工艺中的失效性是正常情况，至信微通过设计因素的改良，使得芯片面积大小的变化并不会明显下降良率。举例来说：
1200V/7mΩ碳化硅MOS晶圆的良率超过80%
1200V/16mΩ碳化硅MOS晶圆的良率超过85%
1200V/80mΩ和1200V/40mΩ碳化硅MOSFET良率高达98%
此外，至信微还发布了两款核心单项指标非常强悍、全球领先的平面工艺：单die大电流技术MOS产品，分别为1200V/7mΩ的SiC芯片，单颗die可承载电流266A，另一款则是750V/5mΩ的SiC芯片，单颗die可承载355A，性能均达到了世界领先水平。这些创新设计工艺也为至信微赢得了良好口碑和市场认可。
未来，至信微电子将持续深耕半导体及碳化硅器件领域，不断发力，为提升服务器电源效率及降低算力中心能耗贡献更多行业创新。
About Sicred
关于至信微电子
深圳至信微电子有限公司专注于第三代半导体技术的研发，拥有行业领先的设计能力和制造工艺。该公司率先在国内研发成功车规级碳化硅MOSFET，并已通过国内汽车客户的样品测试。拥有多位行业专家组成的技术团队，具备坚实的专业理论基础和丰富的实践经验，展现出高水平的研发能力和多年培养的产品可靠性质量意识，能够全面、持续、稳定地满足客户需求，提供符合高标准的产品和服务。