当至信微的碳化硅器件能够轻松击败360mΩ的硅基超结，我们见证的不仅是效率的颠覆，更是一场材料革命的号角！”
在功率半导体领域，技术路线的选择始终基于性能、可靠性与成本的综合权衡。长期以来，消费电子市场形成了以传统硅基（Si）为主导、氮化镓（GaN）聚焦高频应用的格局。碳化硅（SiC）则因其出色的材料特性，更多应用于对可靠性要求极高的航天、工业及新能源汽车领域。然而，果真如此吗？
这一局面正由至信微在改变。
回归碳化硅的物理特性
碳化硅具有较比硅和氮化镓更高的热导率（约硅/氮化镓的3倍），散热能力更强，且额定结温可达175℃以上。这些特性使碳化硅器件在效率、功率密度和可靠性方面表现卓越，应用前景广阔。
至信微依托产品与技术的双轮创新，成功将车规级的碳化硅技术引入消费电子领域。通过持续优化，我们已将碳化硅器件的成本控制至与主流硅基器件相当的水平，并率先实现了在消费级场景下的规模化应用。
本专栏后续将为各位读者带来
至信微在碳化硅消费电子产品应用中的实测结果
①本期将解析的是
至信微在65W适配器电源上的应用:
对比至信微碳化硅MOSFET
与传统硅基MOSFET的性能表现
65W 适配器电源 量产项目
测试平台基本信息
Basic Information
驱动IC：某厂IC驱动
对比器件：
某品牌硅基MOS（TO-252，360mΩ）
至信微 SMC*00N065DAC（TO-252，高性价比替代方案：价格实现平替，性能表现更强）
测试信息
Basic Information
测试条件：
1、常温下AC输入：90-264V
3、板端DC输出：19V 3.4A满载
4、驱动电压16.6V 驱动电阻47欧
替换方式：
仅替换MOSFET，不更改任何外围电路！
效率测试
10%,25%,50%,75%,100% 负载
数据说话：碳化硅全面碾压硅基！
效率领先，可靠倍增
至信微碳化硅MOSFET仍实现全工况效率领先
最高领先幅度达1.28%！
90-264V，开机瞬态与稳态，Vgs与Vds电压应力均正常
未来已来：碳化硅将普惠每一度电
本次65W 适配器电源量产项目仅是这个专栏的一个开始。
至信微的碳化硅技术，已经全面进入家电、工业电源、数据中心等更广泛领域，实现对硅基器件的高效、高可靠、低成本替代。
我们坚信：碳化硅不是遥远未来的技术，而是当下即可普及的能源效率解决方案！
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关于至信微电子
深圳至信微电子有限公司专注于第三代半导体技术的研发，拥有行业领先的设计能力和制造工艺。该公司率先在国内研发成功车规级碳化硅MOSFET，并已通过国内汽车客户的样品测试。拥有多位行业专家组成的技术团队，具备坚实的专业理论基础和丰富的实践经验，展现出高水平的研发能力和多年培养的产品可靠性质量意识，能够全面、持续、稳定地满足客户需求，提供符合高标准的产品和服务。
