

中国科学院院士、中国硅基发光之父——江风益带你了解Micro红光LED的未来

MicroLEDDisplay

2019-12-03

导读：中国科学院院士——江风益教授此次重磅出席“2019第三届中国（国际）Micro-LED显示高峰论坛”，并将分享其演讲报告《从硅基LED进展看Micro红光LED的未来》，敬请期待！

“国家技术发明奖一等奖”、“全球半导体照明年度新闻奖”，近日当选中国科学院信息技术科学部院士，多项殊荣加身，被誉为“中国硅基发光之父”的江风益教授此次重磅出席“2019第三届中国（国际）Micro-LED显示高峰论坛”，并将分享其最新科研报告《从硅基LED进展看Micro红光LED的未来》，敬请期待！

当前，我国LED产业呈高速增长态势，产业总体规模持续壮大。在LED上游领域，硅作为一种衬底材料，与当前市场上大为流行的蓝宝石和碳化硅相比，具有低成本、大尺寸、高质量、能导电等优点，被认为是业界最佳的生长氮化镓蓝光LED的衬底材料。

如此高性价比的衬底材料，从研发到面世却历经了不少波折，甚至一度被认为“胎死腹中”。但江风益教授所带领的团队创造了属于我们的奇迹：2003年开始，江风益走上专攻硅衬底LED的创新之路，并在3000多次的试验后，于2006年成功研制出硅衬底蓝光二极管材料及器件，破解了LED产业发展中的世界难题。之后，江风益及其团队推动研究成果产业化，2016年1月8日，2015年度国家科学技术奖励大会在北京举行，而江风益团队所研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得国家技术发明奖中唯一的一等奖。该项目公开发明专利150项，其中已授权的有68项，实现了我国在LED上游的关键领域实现核心技术自主化的重大转变，大大推动了中国乃至世界半导体学科的发展。

从1987年开始学习发光学，到2016年凭借“硅衬底LED项目”获得国家技术发明一等奖，江风益默默耕耘了半辈子，一鸣惊人！也正是这一硅衬底LED技术成就了以南昌高新区为核心的“南昌光谷”。

“硅衬底LED项目”的成功丝毫没有减缓江风益教授科研的脚步，如今的他不忘初心，依然在中国LED产业化的强国之路上带领团队栉风沐雨，砥砺前行！

江风益的LED中国创造之路

演讲嘉宾：江风益

—中国科学院院士/南昌大学教授、副校长

演讲题目

从硅基LED进展看Micro红光LED的未来

嘉宾简介

单位

中国科学院/国家硅基LED工程技术研究中心

职务

院士/主任

江风益教授是南昌大学教授、副校长，国家硅基LED工程技术研究中心主任，半导体照明技术创新团队带头人（科技部、教育部）。

在硅基氮化镓半导体发光方向取得了开拓性、系统性、创造性学术成就，带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓蓝光、绿光和黄光LED材料与芯片，并实现了产业化。

江风益，男，1963年出生，江西余干人，1984年本科毕业于吉林大学物理系，1989年研究生毕业于中国科学院长春物理研究所（现光机物理所），长期在南昌大学从事半导体发光方向人才培养、科学研究和社会服务工作，获国家技术发明一等奖和全球半导体照明突出贡献奖等，被评为 “全国优秀共产党员”、“全国先进工作者”，当选中国共产党第十九次全国代表大会代表。

时间：12月 11-13日

地点：南京东郊国宾馆会议楼紫光厅

（南京玄武区中山陵5号）

会议日程安排

12月11日

10:00-21:00	签到注册
16:00-18:00	组委会工作会议
18:00-20:00	VIP晚宴（仅限邀请）

12月12日

08:00-09:00	签到注册
09:00-09:15	开幕式
09:15-12:00	大会报告
12:00-13:00	自助午餐
13:00-17:00	大会报告
17:00-18:00	高峰对话
18:00-20:30	晚宴