RGB+UV,Nitride推出Micro LED四色套件
10月25日，日本技术开发商Nitride Semiconductors宣布成功开发了R/G/B三种可见光范围内的Micro LED，红绿蓝光的波长分别是620nm、510nm、450nm，并基于此推出结合Micro UV LED的试用套件。
据了解，Nitride于2018年成功开发尺寸为12μm x 24μm、波长为385nm的高效Micro UV LED，并在2021年先后在英国、德国、法国、美国等地区获得专利。Nitride利用该专利技术激发红、绿、蓝荧光粉来制备全彩显示屏，并成功将Micro UV LED芯片微缩至12μm x 24μm，芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离皆为5μm，可用于Micro LED显示器上，有望应用到下一代AR眼镜和智能眼镜等可穿戴设备中。
彼时，Nitride表示，这项技术能够降低显示器用Micro UV LED芯片的成本，Nitride正在开发大规模量产化的技术，现已向用户提供样品。如今，Nirtide在此基础上新增了可见光范围内的Micro LED，全彩化Micro LED开发进程提速。
红、绿、蓝、紫外Micro LED发射波长数据（48μm×48μm）
Nitride介绍，为了方便用户对比每种颜色的特点，公司制备了一个Micro RGB+UV LED芯片试用套件，该套件由四种波长的Micro LED组成（四合一套件），包括红、绿、蓝、紫外光。Nitride表示，采用Micro RGB+UV LED套件，Micro LED显示器开发商可以尝试不同波长和尺寸的芯片，借此选出适用于最适合量产Micro LED显示器的芯片。
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红光Micro LED芯片发光
值得关注的是，Micro LED的全彩化一直以来都是行业性难题，尤其是红光LED的生产和效率问题，不过GaN材料被视作能够解决红光Micro LED性能问题并助力实现全彩化的佳选。近几年来，首尔半导体、Porotech、晶能光电等全球厂商积极通过产学研合作，借力GaN材料突破了红光LED的问题，获得实质性进展，Nitride同样如此。
24μm×48μm红光Micro LED芯片
此次Nitride正是利用InGaN代替GaAs或GaP等传统材料，实现了红光LED的开发，此举又一次验证了GaN材料的应用潜力，也意味着Micro LED的全彩化瓶颈正在逐步实现突破，量产进度可期。
Aledia与量子点色转化技术厂商QustomDot达成合作
近日，外媒报道，法国3D结构GaN LED技术开发商Aledia和比利时Micro LED显示器色转换开发商QustomDot达成合作，共同研发全彩Micro LED技术，以解决视频墙和豪华电视市场面临的问题，其合作的首批原型产品预计将于2023年初推出。
资料显示，Aledia专注于8英寸及以上硅衬底Micro LED技术的研发工作，拥有独特的300毫米硅基GaN纳米线（nanowire）技术，该技术有利于实现Micro LED的可延展制造，从而为高端Micro LED产品生产高效蓝光Micro LED。
今年5月，Aledia完成3000万美元设备融资，资金拟用于扩建Micro LED纳米线（nanowire）技术制造工厂，并加速产品平台建设及研发工作。
图片来源：Aledia
QustomDot专注于量子点 (QD) 色转换实现全彩Micro LED显示器的研发，该团队将量子点合成、表面工程和油墨/光刻胶配方结合应用于Micro LED显示器的图案化色转换层中。
对于本次合作，Aledia表示，公司一直致力于将GaN纳米线Micro LED平台与量子点技术相结合，充分利用量子点技术卓越的色彩表现。然而，在过去，量子点技术通常是限制Micro LED最终性能表现的因素。本次与QustomDot合作，通过应用其创新量子点 (QD) 墨水技术，相信可带来性能更高的Micro LED产品系列。
QustomDot表示， 其量子点平台是市场上最全面、最可靠的无重金属颜色转换解决方案。虽然Micro LED领域有许多技术正在开发，但QustomDot相信Aledia的Micro LED技术方案能够推动 Micro LED市场进入下一发展阶段。
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