Micro LED专题：巨量转移技术剖析

相比传统LCD、OLED，Micro LED具有高解析度、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等优势，被认为是未来显示技术的主流方向，在VR/AR、高清、柔性、穿戴式等显示领域有着极高的应用潜力。

Micro LED显示器是由数百万个三色RGB芯片组成的。通常来说，受限于外延生长技术，在大面积外延基板上同时生长高质量的三色RGB芯片极为困难，因此需要将生长在外延基板上数百万甚至数千万颗微米级的三色RGB芯片依次转移到驱动电路基板上，实现RGB排布。

三色RGB芯片转移示意图

然而，由于Micro LED的特征尺寸小于100μm，传统转移技术在转移效率、转移精度上很难达到要求。传统转移技术对单颗芯片的尺寸要求存在物理极限，芯片太小无法转移，转移精度也难以满足；机械臂在芯片转移的过程中也存在时间极限，转移效率难以提高，这意味着传统转移技术及设备已无法适配Micro LED转移制程。

面对以上技术挑战，为实现快速且精准地转移及减少后续检修压力，巨量转移技术应运而生。Micro LED巨量转移技术已被证明是能够克服组装Micro LED芯片极端要求的有效解决方案。Micro LED巨量转移设备是采用激光转移技术，利用特殊整形后的方形光斑，结合高速振镜扫描，可以实现高速加工，将微米级Micro LED芯片逐一转移到下层基板（玻璃或者膜材）上。Micro LED巨量转移设备是Micro LED生产过程中的核心装备之一，是影响Micro LED的良率与制造成本的关键。

Micro LED激光巨量转移技术示意图

大族半导体自2019年开始对激光巨量转移技术进行布局，探索应对Micro LED芯片转移要求的关键解决方案，于2021年11月，自主研发并推出国内首台固体Micro LED激光巨量转移设备；于2022年10月，自主研发并推出国内首台准分子Micro LED激光巨量转移设备，均通过头部客户验证，实现销售。

来源：大族半导体