由中国光学光电子行业协会液晶分会、中国LED产业与应用联盟、中国半导体行业协会、中国光学光电子行业协会光电器件分会、中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会、南京平板显示行业协会和台湾显示器产业联合总会共同主办，上海舜联文化传播有限公司承办的“首届中国（国际）Micro-LED 显示高峰论坛”将于2017年11月21日-22日在中国南京隆重召开。主办方将聚集LCD、LED、半导体三大领域学术界和产业界领袖，针对 Micro-LED 显示关键技术、产业协同发展等方面进行深入探讨。发挥核心企业力量，带动中小企业，一起致力于推动Micro-LED 显示的发展。
世界微米LED原创技术发明人，美国物理协会研究员，德克萨斯理工大学江红星教授将出席本届论坛并发表演讲，与现场观众共同探讨Micro-LED显示技术的应用和未来发展。
江红星教授简介
Dr. Hongxing Jiang received his B.S. in Physics in 1981 from Fudan University, China and Ph.D. in Physics in 1986 from Syracuse University, USA. Dr. Jiang devotes his research efforts to the advancement of III-nitride semiconductor technologies.
His team has developed microLED technology, leading to the realization of self-emissive microdisplays and single-chip hig-voltage DC/AC-LEDs.
Currently, he directs the Nanophotonics Center at Texas Tech University (TTU) and is the inaugural Edward E. Whitacre Jr. endowed chair and Horn distinguished professor.
Dr. Jiang has more than 400 journal publications and 20 patents with over 15,000 citations and an h-index of 68, edited 15 books, and delivered more than 140 invited talks. He relocated his research group to TTU from Kansas State University where he served as a university distinguished professor of physics until 2008. Dr. Jiang is the co-founder and owner of III-N Technology, Inc., which hold and controls a portfolio of microLED related technologies. He is a fellow of American Association for the Advancement of Science, the American Physical Society, the Optical Society of America and SPIE.
江红星博士1981年从复旦大学获得物理学学士学位, 1986年从美国雪城大学获得物理博士学位。
江博士致力于III-nitride半导体技术的研究。他和团队研发了microLED技术,从而发现自发光microdisplays和单片机高压DC / AC-LEDs。目前,他在德州理工大学指导纳米光子学中心并担任首席Edward E. Whitacre Jr.特聘教授。
江博士发表过超过400篇学术期刊论文并拥有20项专利，这些论文获得了超过15000次的引用，h指数为68 。与此同时，江博士编辑过15本书,并参加了超过140场邀请报告。江博士在2008年以前在堪萨斯州大学担任物理学教授，之后他将堪萨斯州立大学的研究小组迁往德州理工大学(TTU)。江博士是III-N技术公司的联合创始人和所有者,III-N公司持有和控制microLED相关技术。江博士是美国科学促进协会,美国物理学会、美国光学学会和美国国际光学工程协会院士。
Research Interests
Semiconductors, Photonics, and Optoelectronics
III−Nitride Semiconductors (BN, AlN, GaN, InN & AlInGaN)
Radiation sensors
MOCVD Growth
Micro−Size Emitter Arrays
Solid−State Lighting
Energy−Conversion Devices
更多重量级演讲嘉宾即将陆续公开，敬请关注。
名额有限，敬请尽快注册。（报名请点击阅读原文）
参会费用
大会接受人民币或美元支付方式(含参会资格及资料、午餐（11月22日）和晚宴（11月22日），不含交通及住宿费)
1、普通参会门票：CNY:2400元/人；USD:350元/人
2、参会优惠
1）协会会员(中国光学光电子行业协会液晶分会、中国LED产业与应用联盟、中国半导体行业协会、中国光学光电子行业协会光电器件分会、中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会、南京平板显示行业协会、台湾显示器产业联合总会)参会优惠：CNY:2000元/人 USD:290美元/人
2）组团参会：三人（含）－五人成团参加，参会优惠享受8折，折后价：CNY:1900元/人 USD:280美元/人；五人以上成团参加，参会优惠享受7折，折后价：CNY:1700元/人 USD:250美元/人。
2）学生参会（需出示学生证）CNY:1200元/人 USD:180美元/人
会务组联系方式
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