
战略布局:京东方发力Mini LED、智慧商显等技术
11月23日,京东方与航天信息股份有限公司(以下简称“航天信息”)在北京签订《战略合作协议》,实现跨界合作,共同构建物联网生态平台。本次合作,双方将充分发挥各自优势,创新合作模式,加快向大众市场推广会议管理系统、数据可视化系统、Mini LED以及大尺寸智慧商显等技术和产品的推广。
对于Micro LED制程难题——巨量转移技术,京东方也正在积极研究解决方案,其与Rohinni公司合资成立的BOE Pixey主要聚焦MiniLED/Micro LED转印环节的技术开发与生产,此技术可达到每秒50颗的转印速度,同时保证高效率和高精度。
技术研发:英国初创公司推出突破性红光Micro LED产品
从剑桥大学分拆的公司Porotech宣布推出基于其独特GaN生产技术的首款产品,也是全球首款商业化的用于Micro LED应用的原生红光LED外延。
Porotech首席执行官兼联合创始人朱彤彤说:“在具有微米级像素的模块中集成AlInGaP红光和InGaN绿光和蓝光LED显示器极具挑战性,因为AlInGaP器件中的高表面复合速度使该材料不适用于高效的Micro LED。我们的突破扩展了InGaN的发射范围,从而可以满足红光显示的性能需求,同时具有扩展Micro LED半导体显示技术所需的晶圆尺寸的能力。”
Porotech的原生InGaN Micro LED在10A/cm2处具有640nm的波长,在非常小的像素和间距下,与常规的AlInGaP和颜色转换所得的红光相比,性能得到了改善。
技术研发:光效提升10倍!江风益院士团队InGaN基橙-红光LED最新成果
近日,南昌大学的江风益院士课题组在Photonics Research 2020年第8卷第11期上展示了他们最新研制的高光效InGaN基橙-红光LED结果。
此项研究基于硅衬底氮化镓技术,引入了铟镓氮红光量子阱与黄光量子阱交替生长方法,并结合V形坑技术,从而大幅缓解了红光量子阱中高In组分偏析问题。再依据V形p-n结和量子阱带隙工程大幅提升了红光量子阱中的辐射复合速率。使用该技术成功制备了一系列高效的InGaN基橙-红光LED,基于InGaN的黄色LED的结构对基于InGaN的橙色和红色LED进行了研究。
研究人员认为,基于InGaN的红色LED的材料质量非常接近满足微型显示器的要求。随着微型LED芯片技术的发展以及材料增长的进一步改善,相信在不久的将来用于微型显示器的基于InGaN的红色LED是可行的。
新品发布:全球首款!英国初创公司推出突破性红光Micro LED产品
从剑桥大学分拆的公司Porotech宣布推出基于其独特GaN生产技术的首款产品,也是全球首款商业化的用于Micro LED应用的原生红光LED外延。
商务合作:奥拓Mini LED应用全球最大私营电视台
最近,奥拓迎来了“土耳其电视台顺利交付及成功使用”的喜报,是下半年来继美国芝加哥电视台后的又一超大型电影电视成功应用案例。
土耳其电视台是全球最大的私营电视台,已向全球60个国家出口最高质量的电视剧,包括众多主题频道。为了保证持续放送超高质量的高清内容,土耳其电视台决定使用全新的LED屏幕全面打造演播室舞台及台内其他显示区域,以创建沉浸式拍摄场地和超清晰演播现场,曾为美国芝加哥电视台、利比亚电视台及英国BBC等提供专业解决方案的奥拓被选用成为本次方案的提供商。
项目始于2020年年中,经过长达几个月的设计、运输、安装和调试工程,奥拓共帮助土耳其电视台打造了将近700平方米的屏幕面积,主要采用奥拓2020年最新推出的Thin版Mini LED产品——CV1.5,分布在土耳其电视台整个演播大楼中,包括大厅屏幕以及新闻、体育、音乐、娱乐等10个不同频道的屏幕。为了贴合各自频道的主题和内容,结合各频道在演播中的特性,CV1.5在10个不同的频道演播室被安装成弧形、直屏,或桌面屏的形式,以满足和契合不同频道的观众和表演嘉宾的需求。
投资开工:总投资6亿的第三代半导体氮化镓基UVA等项目落户安徽
近日,上海芯元基半导体科技有限公司(简称“芯元基”)第三代半导体氮化镓项目正式签约落户安徽池州高新区。
据报道,芯元基第三代半导体GaN基UVA及DPSS项目总投资6亿元,规划用地约100亩,分两期建设:其中一期投资2亿元,打造一条GaN基DPSS衬底生产线,一条UVA365nm芯片生产线,并建设配套设施等;二期投资4亿元,建设行政、生产一体化厂房及配套, 计划于2023年6月前实现年度销售收入不低于1亿。
公司拥有全球首创自主知识产权,技术打破了LED芯片生产核心工艺技术的国际垄断。第三代半导体氮化镓项目的成功签约,标志着上海芯元基半导体科技有限公司与池州高新区的合作正式开启。


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