自2000年华裔教授江红星提出Micro LED概念至今，Micro LED技术得到了学术界和商业界的广泛关注。该技术将传统的大尺寸LED微缩至50微米以下，并以阵列的方式集成于可单颗寻址和驱动的电路上。由于 Micro-LED 的单元像素低至微米量级，显示产品具有多项性能指标优势。其功耗仅为 LCD 的10%、OLED的50%，可大大提高产品的续航时间；其亮度可达 OLED 的 10 倍，分辨率可达 OLED 的 5 倍，更适用于白天更亮场所的显示；其适应尺寸广泛，既可用于超高 PPI 的小尺寸显示，同样适应于超大低功耗高亮度显示，被认为是最具潜力优势的新一代显示技术。
如图所示：
① 首先在LED外延片上沉积一层金属层作为电极。
② 在电路端制备均匀的In柱，并涂上绝缘胶进行隔绝保护。在芯片端对电极金属层进行刻蚀，定义出单元像素的电极。
③ 将CMOS与晶圆进行键合。
④ 去除衬底。
⑤ 刻蚀外延层，定义出单个像元。
⑥ 沉积钝化层，对器件的表面和侧壁进行保护，减小表面非辐射复合。刻蚀开孔后，沉积ITO作为透明公共电极。
如图所示：
① 首先对外延片进行台面刻蚀，定义出单个像素。然后进行表面和侧壁的钝化，减小非辐射复合。接着进行钝化开孔刻蚀。
② 在芯片的钝化孔上蒸镀欧姆接触金属电极。
③ 在CMOS和芯片端分别制备In柱。
④ 芯片与COMS键合，形成电互联，并填充绝缘保护胶。
⑤ 去除衬底。
以上两种技术在芯片制备完成后，为了实现全彩化，通常会在芯片出光面制备三基色量子点，进行颜色转换后进入后端制程打线封装。
根据相关报道，多家企业和研究单位已经开发出Micro LED微显示相关产品。2018年，南方科技大学刘召军博士团队公布了分辨率为1200×960，像元尺寸10微米的Micro LED微显示芯片。2021年，Porotech公司发布了0.55英寸、分辨率为960×540微米的InGaN红光单色显示芯片。另据悉，上海君万微电子科技有限公司成功开发出0.3英寸至1英寸全尺寸规格的高亮度Micro LED微显示器系列产品，该公司0.6英寸绿光单色显示芯片分辨率为1280×1024，像素点间距在10微米以下。这些案例，都为Micro LED的研究和发展提供了思路和参考。
当前，我司的红、绿、蓝全色系LED芯片已实现量产出货，正协同外延、芯片以及封装，积极布局Micro LED芯片产业，并已经在部分领域形成技术积累。
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来源：兆驰
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