这3项Micro LED专利涉及巨量转移、色转化

近期，兆驰半导体、思坦科技均有Micro LED相关专利在近期进入申请公布阶段，涵盖Micro LED多项关键工艺。

近期，兆驰半导体在企查查上公布了两项Micro LED芯片发明专利，分别是“一种Micro LED芯片的巨量转移方法”及“一种全彩Micro LED芯片及其制备方法”。

专利信息显示，兆驰半导体“一种Micro LED芯片的巨量转移方法”涵盖了若干载体基板、若干单色LED、若干转移标记、掩膜、承接基板等。兆驰半导体发明通过设计不同的转移标记与对位方式，简化了巨量转移过程与后续芯片封装过程，同时也实现了芯片转移的高利用率。       

而兆驰半导体所公布的另一项发明专利“一种全彩Micro-LED芯片及其制备方法”，通过设置在蓝光外延层、绿光外延层以及红光外延层之间的布拉格反射镜，并将三色光外延层垂直排列，使得上述芯片封装的显示屏正面与侧面显色一致，无侧面偏绿或偏红的色差问题。

2月初，思坦科技“一种用于Micro LED的色转换层及其制备方法”的发明专利申请被公布，据介绍，该发明解决了色转换层内的红绿蓝光之间的光串扰问题，提高色转换的出光效率。

专利信息显示，该一种用于Micro LED的色转换层及其制备方法涵盖一具体实施方式的色转换层包括基底、光阻隔墙以及量子点材料。

其中，思坦科技将掺杂反射材料的热固化压印胶经过纳米压印工艺制成的光阻隔墙，并将光阻隔墙间隔固化在透明的基底上形成微阵列结构；使微阵列结构中相邻两个光阻隔墙与基底之间形成开口向上的沟槽；最后在微阵列结构中指定的沟槽内填充量子点材料。

如此一来，Micro LED蓝光激发沟槽内的量子点材料所产生的红光和绿光，以及Micro LED蓝光分别能够通过光阻隔墙反射后从沟槽的开口方向发射出去。

总的来说，该发明专利通过一次纳米压印工艺制备光阻隔墙，解决了色转换层内的红绿蓝光之间的光串扰问题，提高色转换的出光效率。

来源：行家说

 

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