近几年，Micro LED显示技术因其显著的优势得到快速发展，但由于该技术不成熟、成本壁垒等因素，让Micro LED显示大规模商业化障碍重重。
兆驰半导体作为LED芯片领域的新锐企业，其科研团队一直致力于攻克Mini/Micro LED技术难题，目前，公司已在Micro LED领域多项关键技术上取得突破，可有效解决Micro LED芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点，进一步提高良率、降低成本，初步形成具备独创性的关键工艺技术方案，并相应进行了大量的自主知识产权布局。
外延技术
对于Micro LED而言，一张4寸外延的片内波长差小于2nm才勉强满足使用要求，除此之外Micro LED对更高光效的外延也提出了要求；如何通过对外延结构以及生长方法和工艺进行一系列优化从而降低外延缺陷密度，增加电子和空穴的传输等等；为此公司在外延技术方面进行知识产权布局。涉及多种不同外延结构，工艺制程等领域，如：CN114566575A中就是一项关于解决现有技术中外延层中杂质扩散至发光层中，导致发光效率低下的技术问题；CN114566575A是一种提高外延层生长平坦化的方法，提高了晶体质量等等。
芯片技术
随着芯片尺寸进入Micro量级，一系列尺寸效应也接踵而至。常规LED制备时，刻蚀工艺对芯粒的侧壁损伤将变的不可忽略。芯粒尺寸减小带来的同输入电流下电流密度激增从而导致的温度效应对缺陷复合产生一系列影响以及带来的潜在可靠性问题都变的至关重要。在此问题上公司技术人员积极创新，如：CN107658371B中提出来基于激光直写的Micro LED的制造方法，CN113206176B是一种选区刻蚀外延Micro LED芯片技术的新方法等。
巨量转移技术
另一个技术难题就是“巨量转移”问题。巨量转移简而言之就是将千万数量级的Micro尺寸级别的芯粒转移到基板上。如：CN115692460A中提出来一种巨量转移技术的对位方式及提高芯片转移利用率的方法；CN110660717A提出来一种用于转移Micro LED的转移装置及转移方法; CN109449266A中基于巨量转移原理改进芯片结构提高巨量转移效率的方法等等。
全彩化技术
Micro LED的终极目标是实现单像素的全彩化，而具体全彩化方式则多种多样，如CN115411160B、CN115425127B等就是在垂直RGB像素的一种创新；CN115172403A、CN115662982A等等是一种扇出型封装RGB领域的设计；CN114759061A、CN109768135B等则是在全彩化电子控制方向的设计。
当前，在国家政策的战略性支持背景下，新一轮视觉革命蓄势待发，以Mini/Micro LED等新型显示技术为核心的战略格局正加速形成。兆驰半导体此次新攻克的Micro LED难点，从技术领域和产品应用领域等层面丰富和完善了公司在Micro LED超高清显示芯片产业的布局，进一步加强公司在前沿技术的领先优势，巩固其核心竞争力。
来源：兆驰半导体
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