12月22日，大族激光在投资者互动平台表示，公司的激光巨量转移路线是基于Micro LED芯粒的COG封装，该技术路线具有更高的效率，更低的成本。

据了解，大族激光是一家专业从事工业激光加工设备与自动化等配套设备及其关键器件的研发、生产和销售的高新技术企业，具备从基础器件、整机设备到工艺解决方案的垂直一体化优势，是全球领先的工业激光加工及自动化整体解决方案服务商。

在半导体及泛半导体行业晶圆加工设备业务方面，大族激光LED行业晶圆加工设备业务市占率行业领先，Micro LED巨量转移设备已通过客户验证，实现销售；半导体行业晶圆加工设备业务进展顺利，应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。

大族激光2022三季报显示，公司主营收入105.62亿元，同比下降11.47%；归母净利润10.14亿元，同比下降32.45%；扣非净利润8.18亿元，同比下降35.45%；其中2022年第三季度，公司单季度主营收入36.25亿元，同比下降18.43%；单季度归母净利润3.82亿元，同比下降37.58%；单季度扣非净利润2.11亿元，同比下降57.64%；负债率50.79%，投资收益1.44亿元，财务费用-1.51亿元，毛利率36.51%。

或将Micro LED浪费降到最低？国外科学家们带来新研究...

据外网消息报道，来自 MISiS 的俄罗斯科学家与韩国科学家一起，找出了阻止半导体设备进一步小型化的工艺，尤其是制造更小 LED 的工艺。值得注意的是，该研究不仅能生产具有更高像素密度和分辨率的Micro LED，还不会增加消耗并把浪费降到最低。

如今，有关这项工作的文章已发表在《合金与化合物》杂志上。

科学家们研究了从所谓的宽禁带半导体生产电子设备（晶体管和 LED）的技术过程。从研究上来看，高效的蓝色发光二极管只能由此类材料制成，而目前行业却面临着进一步小型化所带来的各种问题：如LED 和晶体管越小，效率越低，性能越不稳定。

在此背景下，俄罗斯科学家与首尔高丽大学的同事一起研究了Micro LED 微型化过程中效率下降的问题：例如在平板显示器的生产中，并将其与材料结构侧壁上形成的缺陷相关联.。为此，科学家们通过从气相中沉积直径为100 -10微米的有机金属化合物的方法，培育出了辐射强度的显着下降始于直径小于30μm的Micro LED 样品。

科学家们认为，这是制造LED的材料表面缺陷累积以及 LED 本身壁上体积缺陷的原因。

“像素”直径越小，缺陷对LED性能的影响就越大，效率就越低，这也适用于由宽禁带半导体制成的晶体管。

科学家通过一系列实验证实了这一理论，并提出了缓解该问题的方法。因此，科学家们建议改变衬底刻蚀工艺以尽量减少表面缺陷的发生，将退火温度从700℃提高到900℃，并采用钝化工艺在材料表面覆盖一层保护层，防止“寄生”复合，在此期间不发射光子，能量在材料中耗散。

进一步的工作将旨在更详细地研究所提出的解决问题的方法对Micro LED和宽禁带半导体总体效率的影响。

来源：集微网、MicroLEDDisplay综合整理

 

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