三星预测：硅基Micro LED将发展为单片式；
沙特KAUST团队发表Micro LED论文.
近日，三星显示一位高管表示，公司预计增强现实设备中使用的硅基 LED (LEDoS) 技术将逐渐发展为单片式LED。单片面板是指仅使用一个 CMOS 面板，其上的 RGB三色LED 垂直堆叠或水平对齐。
在2023年7月，三星曾表示LEDoS 将取代硅基 OLED（OLEDoS）成为 AR 设备的主导显示屏，并在开发小于 10 微米和 5 微米的 LEDoS。据悉，三星显示的OLEDoS已供应苹果Vision Pro。
硅基LED技术是一种在硅基板上生成无数微米级LED的技术，由于其亮度具备优势，因此该技术被视为VR、XR、MR设备微型显示器的未来。
目前的蓝光量子点硅基LED技术，是在CMOS面板或者背面上形成蓝色LED发光层，然后在这之上覆盖不同的量子点材料，将蓝光转化为红光、绿光；像素最上方有着微透镜，用于增强亮度。
另一种三色合光的技术，是使用独立的硅基R、G、B发光体组合而成，相互垂直排列，但该技术需要波导元件来控制光的方向。
而最理想的方式是单片式硅基LED面板，R、G、B三种发光体可以一起沉积在CMOS或者玻璃基板表面，但这需要高温外延工艺进行制造。
三星显示公司高管补充，RGB LED在安装到CMOS基板上之前必须单独制造，因此存在难度和成本问题。这意味着微显示器上的LEDoS技术不仅仅是OLED的延伸，还需要光学、面板、工艺和材料方面的新技术，可以为显示行业创造新的价值。
三星显示器于 2022 年启动了 M 项目，旨在开发针对现实设备的硅基微型显示器 LEDoS 和 OLED。
不过，目前虚拟现实、混合显示市场发展缓慢，无法带动微型显示器市场，后续发展仍需时间的考验。
应用以上3种技术的Micro LED微显均在近几年实现了技术迭代，其中单片式Micro LED的研究也在逐步推进，特别是垂直堆叠的结构。
沙特KAUST团队：无刻蚀损伤的Micro LED像素制造技术
最近，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室论证了一种名为选择性热氧化（STO）的新型Micro LED像素定义方法。这种方法免除了像素制造工艺中等离子刻蚀的需要，为进一步提升Micro LED性能提供了新的解决方案。
KAUST的工程师们通过高温热退火工艺选择性的氧化了芯片中的非像素区域，致使非像素区域内的p层和InGaN/GaN多量子阱结构发生改变，并使该区域失去发光功能。通过STO工艺,Micro LED像素得以定义, 并显示出低漏电和高效率等卓越的器件性能。
该方法普遍适用于InGaN/GaN的不同颜色（蓝，绿，红）的Micro LED制造，有望在未来微型显示、可见光通信和基于光学互连的存储器等多项应用中发挥重要作用。
其团队表示，目标是将Micro LED应用于增强现实/虚拟现实 （AR/VR）的产品中。目前，利用所提出STO技术已实现小至2.3微米的Micro LED像素发光。实验室正在计划将制造的器件转移到商用的微型显示面板上做进一步的验证。
来源：The elec，行家说综合整理
加入MicroLED交流群
与上万+业内朋友在一起
