通过改变“外延结构”，使Micro LED发热量减少40%！

据韩媒消息，韩国科学技术院（KAIST）院长李光炯22日宣布，由电气电子工程系Sang-Hyun Kim教授领导的团队通过改变“外延结构”，解决了Micro LED器件小型化趋势下效率降低的问题。

KAIST研究团队介绍，要制造Micro LED，必须通过蚀刻工艺切割堆叠在晶圆上的氮化镓晶体的外延结构以形成像素。蚀刻过程伴随着基于等离子体的过程，而等离子体会导致像素侧出现缺陷。

像素尺寸越小，分辨率越高，这些缺陷的不利影响就越大，Micro LED 器件效率大大降低。在过去，会随着外延结构的生长，然后对缺陷进行后处理，这种改善程度是有限的。

KAIST研究团队重新研究了小型化过程中器件效率下降的现象，Sang-Hyun Kim 教授认为，效率下降是Micro LED小型化的障碍，可以通过外延结构设计来解决它。

因此，研究团队设计了一种对横向缺陷完全不敏感的结构。

据悉，这项研究于3月17日在国际期刊Nature Communications上发表。

值得注意的是，这项研究是在三星未来技术开发中心的支持下进行的。据了解，KAIST在2022年也公开了一项获得三星未来技术开发中心支持的研究成果。

该成果属于由KAIST电气电子工程学院的Sang-Hyun Kim教授领导的研究团队，于2022年7月公布。

据悉，该研究成果是一项以三维堆叠方式集成红色Micro LED，成功研发了1600 PPI等效Micro LED显示器，可用于AR/VR。

研究运用的单片式3D集聚方式，为下一代超高分辨率显示的开发提供了指导方向。Sang-Hyun Kim教授表示，未来可以通过应用类似的工艺，制作出包括红、绿、蓝光的全彩显示器。

来源：行家说

 

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