国星光电宣布拟募资不超过9.81亿元，其中超3.73亿元将重点投入。超高清Mini/Micro LED及显示模组项目，彰显其深耕Micro LED核心战场的决心。
为什么是MIP？
2025年被行业视为“MIP元年”。Micro LED in Package (MIP) 封装技术成功跨越量产瓶颈，实现成本大幅下降、良品率显著提升，打通大规模商用之路。市场预计到2028年，MIP将占据MLED直显市场35%份额，成为显示升级核心引擎。国星光电此时加码，旨在抢占先机。
国星MIP技术进化与产品矩阵：
国星光电在MIP领域持续领先，已构建强大的产品家族：
1. MIP-IMD/CHIP系列 (基础与全场景覆盖)：
发布于2024年，提供MIP-IMD和MIP-CHIP两大方案。
覆盖P0.6-P2.6间距，适配会议室、指挥中心、舞台租赁等多种场景。
▲MIP+GOB技术原理
2. MIP面板AS系列 (光学性能革新)：
2025年技术升级关键成果，全球首发于Infocomm USA 2025。
创新融合GOB封装工艺，在模组表面覆盖高黑度、高精度、高硬度光学胶膜。
将离散点光源转换为均一面光源，显著提升显示效果。
3. 新成员：MIP0202器件 (微小尺寸突破)：
封装后尺寸仅240μm×240μm，搭载小于2mil x 2mil的Micro LED芯片。
采用国星自研巨量转移封装技术和100%分测严选流程保证品质。
未来潜力：融合MIP+GOB技术后，可助力实现P0.4以下超微间距直显产品，3米外消除颗粒感，加速切入4K/8K超高清市场。
支撑体系：
国星吉利产业园（19万㎡）全面启用，为RGB小间距、Mini/Micro LED等高端产品提供强大的研发与量产保障。
总结与展望：
国星光电通过前瞻布局、技术迭代（如GOB应用）、量产突破和产品扩容（新增AS系列与0202器件），持续构筑其在Micro LED时代的MIP技术护城河。从基础系列到面板革新，再到微小尺寸突破，MIP产品家族的全面进化，展现了国星光电引领超高清显示技术潮流、为行业与客户创造价值的实力与承诺。
2025-07-29
2025-07-29
2025-07-29
扫码关注我们
查看更多精彩内容
加入MicroLED交流群
与上万+业内朋友在一起