近日，LEDinside一篇专访ALLOS公司首席执行官Burkhard Slischka的文章——《GaN-on-Si为Micro LED生态系统铺路》，引发业界关注。有网友就该专访内容提问行业专家徐宸科：“有关国内LED硅基发展方向有些分歧，您如何看待？”还有人疑问：未来，GaN-on-Si会在Micro LED应用上，取代传统LED生产采用的蓝宝石衬底吗？
▲ 图片来源：ALLOS Semiconductors
对此，徐宸科表示：首先，GaN-on-Si在电力电子器件已经是产业化与市场化，毋庸置疑。硅基电力电子有其优势，但，需知电力电子器件的重点不只是break down电压，更是决定与器件的工作电流与功率。在5G微波通信器件的应用也陆续发布及相应产品问世。
而LED或Micro LED应用，的确GaN-on-Si有其优势，但是要取代现有普遍的蓝宝石技术，还是需要许多的变革与驱动力。例如：外延与芯片设备的升级与设备投资成本。
从工艺流程上来说，蓝宝石技术还是有相当的成本优势，随着技术的进步，波长均匀性也可以大幅改善。这些都将影响GaN-on-Si LED技术的进展。
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