英国半导体技术厂 Plessey 已成功研发单晶硅基氮化镓 (GaN-on-Si) Micro LED 技术。该公司指出，这类创新研发将会支援各种次世代应用，如 AR 头戴式装置、抬头式显示器 (HUD) 等进入大众市场的其他智能穿戴装置。
Micro LED具备高对比、高速、广视角、高亮度、高效率与作业时间长等特性，相当适合应用在智能手表、抬头式显示器与 AR 头戴式装置等穿戴式产品上的显示器应用。
然而， Micro LED因体积微小，制作过程艰难，若使用常见的取放技术，将 Micro LED 一个个以小于 50 微米的间距摆放，是相当困难的挑战。该制程的设备价格不斐且在产量上仍充满疑虑，随着像素密度逐日攀升，取放技术恐无用武之地。
图片来源：Plessey
因此，Plessey 持续开发硅基氮化镓的技术，该技术将氮化镓LED放置在硅基板而非传统的蓝宝石基板上。使用硅基氮化镓技术，便能够制造单晶 Micro LED，在单一芯片上装载多个放射器。这种方法的优势在于能将像素间距缩小至8微米、且能放大LED放射体积，以及硅基氮化镓表面的放射属性所带来的较高对比等。该技术适用的晶圆大小，已经可轻松拉至 200nm以上，改善成本与良率。
此技术能够剔除传统取放式生产的弊病，又赋予Micro LED 满足新兴 AR 与显示器应用之苛刻要求的潜力。再者，采单晶设计让Micro LED能直接放在CMOS硅背板上，轻松将 CMOS 电路导入高科技应用。
Plessey具有目前唯一的单晶Micro LED方案，并陆续对外授权该技术，供合作伙伴生产客制化显示器与光源使用，满足各式各样的消费者电子应用。
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来源：LEDinside
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