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Micro LED前瞻技术:QMAT改良基板提升制程效率

Micro LED前瞻技术:QMAT改良基板提升制程效率 近眼显示
2018-11-19
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导读:如何实现Micro LED背板技术突破?


在LEDinside Micro LED前瞻技术论文征集比赛中,各家厂商跟学者都针对Micro LED技术发展的不同面向提出解决方法。除了巨量转移与全彩化的技术外,Micro LED的背板也是技术突破的重要关键。


获得优选的美国新创公司QMAT,便聚焦于Micro LED的基板技术。其获选论文Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production指出其EpiMax基板制造技术,能有效率提升Micro LED的制作效率,减少有机金属化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的作用时间,并强化Micro LED的制造质量及效率,加速商业化进程。


论文作者: Philip Ong, QMAT


论文作者:Dong Lee, QMAT


QMAT的论文强调,使用氮化镓GaN作为MOCVD的基础层,能够强化设备的作用效率,并减少电流密度操作点的变异性。此外,QMAT的层次转移技术,能将目标基板设计成跟磊芯片转移前的基板一样,因此磊芯片能够被充分利用。


来源: QMAT


QMAT基板技术的优势在于能够强化设备性能,降低基板成本,还能减少MOCVD作用时间。同时,基板本身可以直接做为转移底座,并且整合雷射剥离技术层(Laser-Lift-Off)进行后续切除。


针对QMAT所提出的基板技术,交通大学光电研究所的评审认为,QMAT的EpiMax基板能够直接用于测试跟转印的设计,在Micro LED制程上相当具有优势。而台湾工研院CIMS联盟则认为,QMAT的基板能用于雷射剥离技术,降低LED晶粒的缺陷,有助于后续制程。


   论文原文详见:LEDinside官网

   封面来源:拍信网正版图库


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