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从众厂商布局看Micro LED发展趋势

从众厂商布局看Micro LED发展趋势 近眼显示
2019-02-11
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根据集邦咨询LED研究中心(LEDinside)最新报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》,Micro LED技术发展早期以专利布局为主,以SONY、Cree及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构,直至2014年因APPLE收购LuxVue之后,进而带动其他业者加速发展Micro LED领域。另外,全世界不同区域厂商对于Micro LED布局也有不同的策略及发展。比如台厂以专业代工为主;韩厂以策略合作方式发展;日厂以集团内发展为主;欧美厂商多半以新创公司及学术机构布局于该领域;中国大陆厂商则发展较慢,多半处于研究与评估阶段。


Micro LED发展历程


Micro LED的发展,早期以专利布局为主,在2000年至2013年期间属于“萌芽期”,市场需求不明下仅有少数先驱者进行专利的布局,以SONY、Cree及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构, 2014年之后跃入“成长期”,主要原因是来自于APPLE收购LuxVue之后,并且展现出对于Micro LED显示技术的信心,进而带动其他业者及新创公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等,这两年来已经出现面板厂的专利布局,比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中,在众多Micro LED的专利申请中,前三大专利的技术为巨量转移技术、显示模组技术及芯片制程技术,合计占所有专利的80%。



Micro LED供应链与厂商布局分析


而这几年来国际大厂也纷纷加入Micro LED的技术开发,大多是以购并、成立公司内部新事业单位或新创公司的方式,来进行Micro LED的发展,这些公司以本身既有的专精领域来做垂直或横向的发展,大致可以分为LED磊晶、转移、面板及品牌等方面,在LED磊晶方面,主要以LED磊晶厂发展最适合,而巨量转移部份是技术门槛也是较多厂商投入的领域。中国大陆、中国台湾、韩国、日本及欧美的厂商对Micro LED布局程度也有所不同,比如:中国台湾厂商多半是以专业代工为主,包括友达光电,晶元光电,以及PlayNitride等公司,都与国际大厂进行深入的合作。


中国大陆厂商在Micro LED的发展脚步较慢。最主要原因中国大陆厂商偏好能够快入导入量产的技术。因此对于Micro LED技术多半处于研究与评估阶段。但部分厂商已经悄悄布局与投资。


韩国厂商在显示器领域的技术布局完整。但是由于韩国厂商的主要资源均集中于OLED产品上,因此对于Micro LED技术则是采取策略合作的方式来参与该技术的开发与研究。


日本厂商在Micro LED领域,以SONY最为领先,并且布局完整。但是由于日本厂商的供应链相对封闭,并且多半在集团内自制完成。因此其他的日本厂商主要是以设备商,或是材料商才有办法参与其中。而值得关注的是,日韩厂商由于本身在大尺寸的电视领域已占据主导地位,因此多半聚焦在大尺寸Micro LED显示器技术的开发。


欧美厂商多半以新创公司以及学术机构布局于该领域。近年来随系统大厂逐渐投入开发该技术,并且透过转投资与收购的方式进行专利布局在巨量转移的领域。至于面板领域,则是由于面板的投资金额过高,因此主要与亚洲的面板厂商进行合作开发。特别是欧美厂商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED显示应用,如手机、投影与穿戴装置,因此技术局领域多朝此方面发展。


2019年1月LEDinside针对于2019 Micro LED次世代显示关键技术进行分析。如需详细资料,欢迎来电或来信。谢谢您!


以下为《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》目录:


2019 Micro LED次世代显示关键技术报告


出刊时间:2019年01月31日

档案格式:PDF 

报告语系:繁体中文 /英文


- 目录 -


第一章 Micro LED定义与市场规模分析


  • Micro LED产品定义

  • Micro LED产值分析与预测

  • Micro LED产量分析与预测

  • Micro LED市场产量分析

  • Micro LED Display渗透率预测


第二章 Micro LED应用产品与技术发展趋势


  • Micro LED应用产品总览

  • Micro LED产品应用规格总览

  • Micro LED应用产品-头戴式装置规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-头戴式装置成本分析

  • Micro LED应用产品-头戴式装置出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-穿戴式装置规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-穿戴式装置成本分析

  • Micro LED应用产品-穿戴式装置出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-手持式装置规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-手持式装置成本分析

  • Micro LED应用产品-手持式装置出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-IT装置规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-IT 显示器装置成本分析

  • Micro LED应用产品-IT装置出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-车用显示器规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-车用显示器装置成本分析

  • Micro LED应用产品-车用显示器出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-电视显示器规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-电视显示器装置成本分析

  • Micro LED应用产品-电视出货量与时程表预估

  • Micro LED应用产品-LED显示屏规格发展趋势

  • Micro LED应用产品-LED显示屏装置成本分析

  • Micro LED应用产品-LED显示屏出货量与时程表预估


第三章 Micro LED专利布局分析


  • 2000-2018 Micro LED专利布局-历年专利家族分析

  • 2000-2018 Micro LED专利布局-区域分析

  • 2000-2018 Micro LED专利布局-技术分析

  • 2000-2018 Micro LED专利布局-厂商分析

  • 2001-2018 Micro LED专利布局-历年巨量转移技术专利家族分析

  • 巨量转移技术-专利技术总览

  • 巨量转移技术-专利技术分类

  • 2001-2018 Micro LED专利布局-巨量转移技术专利家族分析


  • 巨量转移技术-品牌厂商技术布局分析

  • 巨量转移技术-新创公司与研究机构技术布局分析


第四章 Micro LED技术瓶颈与解决方案


  • Micro LED产业技术总览分析

  • Micro LED技术瓶颈与解决方案总览-制造流程

  • Micro LED技术瓶颈与解决方案总览-LED磊晶与晶片制程

  • Micro LED技术瓶颈与解决方案总览-转移技术/黏接技术/驱动与背板技术


第五章 磊晶技术瓶颈与挑战分析


  • 磊晶技术-解决方案

  • 磊晶技术-磊晶架构与发光原理

  • 磊晶技术-磊晶发光层材料与光效

  • 磊晶技术-晶片微缩化的漏电问题造成光效降低

  • 磊晶技术-设备技术分类

  • 磊晶技术-设备技术比较

  • 磊晶技术-外延片关键技术分类

  • 磊晶技术-外延片关键技术分类-波长均一性

  • 磊晶技术-外延片关键技术分类-磊晶缺陷控制

  • 磊晶技术-外延片关键技术分类-磊晶外延片的利用率提升

  • 磊晶技术-适用性分析


第六章 晶片制程技术瓶颈与挑战分析


  • 晶片制程技术-LED晶片微缩的发展

  • 晶片制程技术-LED晶片生产流程

  • 晶片制程技术-水平,覆晶与垂直晶片结构性之差异

  • 晶片制程技术-微型化LED晶片(含蓝宝石基板)切割技术

  • 晶片制程技术-微型化LED晶片(不含蓝宝石基板)切割技术

  • 晶片制程技术-雷射剥离基板技术

  • 晶片制程技术-弱化结构与绝缘层

  • 晶片制程技术-弱化结构设计

  • 晶片制程技术-巨量转移头设计

  • 晶片制程技术-传统LED与Micro LED晶片制程差异


第七章 巨量转移技术瓶颈与挑战分析


  • 巨量转移技术-转移技术分类

  • 巨量转移技术- 薄膜转移技术分类

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-拾取放置技术流程

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-非选择性拾取技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-选择性拾取技术以提升晶圆利用率

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-修补应用上的选择性拾取技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-影响产能的因素

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-大型转移头尺寸提升产能的方案

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-转移头精准度要求更高

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-转移次数和晶圆利用率比较

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-转移运转週期与产能比较

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术: Apple (LuxVue)


  • 静电吸附+相变化转移方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术 : Samsung

  • 晶片转移与翻转方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-凡得瓦力转印技术介绍

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:X-Celeprint

  • 凡得瓦力转印方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:ITRI

  • 电磁力转移方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍: Mikro Mesa

  • 利用黏合力与反作用力转移技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:AUO

  • 静电吸附力与反作用力方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍: VueReal

  • Solid Printing技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍: Rohinni

  • 顶针对位转移技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-流体组装技术流程

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:eLux

  • 流体装配方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:PlayNitride

  • 流体分散转印技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-雷射转移技术流程

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-雷射转移技术分类

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:Sony

  • 雷射转移技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:QMAT

  • BAR转移方式

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍: Uniqarta

  • 多光束转移技术

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:OPTOVATE

  • Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术-滚轴转写技术流程

  • 巨量转移技术-薄膜转移技术介绍:KIMM

  • 滚轴转写技术

  • 巨量转移技术- Micro LED巨量转移技术上面临七大挑战

  • 巨量转移技术-转移制程良率取决于制程能力的控制

  • 巨量转移技术-适用性分析


第八章 检测技术瓶颈与挑战分析


  • Micro LED 技术瓶颈与解决方案总览-检测技术流程

  • 检测技术-检测方式

  • 检测技术-电特性检测

  • 检测技术-电致发光(EL)原理

  • 检测技术-光特性检测

  • 检测技术-光致发光(PL)原理

  • 检测技术- 巨量检测技术总览

  • 巨量检测方式-光致发光检测技术

  • 巨量检测方式-数码相机光电检测技术

  • 巨量检测方式-接触式光电检测技术

  • 巨量检测方式-非接触式光电检测技术

  • 巨量检测方式-非接触式EL检测技术

  • 巨量检测方式-紫外线照射光电检测技术

  • 巨量检测技术差异性比较


第九章 维修技术瓶颈与挑战分析


  • Micro LED技术瓶颈与解决方案总览-维修技术

  • Micro LED维修技术方案

  • 维修技术方案-紫外线照射维修技术

  • Micro LED的坏点维修流程

  • 维修技术方案-紫外线照射维修技术

  • 坏点维修技术分析

  • 维修技术方案-紫外线照射维修技术

  • 转移头拾取之过程

  • 维修技术方案-雷射熔接维修技术

  • 维修技术方案-选择性拾取维修技术

  • 维修技术方案-选择性雷射维修技术

  • 维修技术方案-备援电路设计方案

  • Micro LED的主动缺陷侦测设计


第十章 全彩化技术瓶颈与挑战分析


  • 全彩化技术解决方案种类

  • 全彩化技术解决方案- RGB 晶片色彩化技术

  • 全彩化技术解决方案- RGB在相同晶圆上的量子光子成像

  • (Qantum Photonic Imager ; QPI)

  • 全彩化技术解决方案-量子点的色转换技术

  • 全彩化技术解决方案-量子点色转换技术与应用

  • 全彩化技术解决方案-量子井的色转换技术

  • 全彩化技术解决方案-总览

  • 全彩化技术解决方案-适用性分析


第十一章 接合技术瓶颈与挑战分析


  • 接合技术-技术分类

  • 接合技术-表面黏著技术方案

  • 接合技术-共晶波焊组装技术方案

  • 接合技术-异方性导电胶(ACF)方案

  • 接合技术-异方性导电胶水(SAP)方案

  • 接合技术-晶圆结合技术(Wafer Bonding)方案

  • 接合技术-晶圆接合 (Wafer Bonding) 困难度分析

  • 接合技术-Micro TUBE方案

  • 接合技术-技术困难度分析

  • 接合技术-适用性分析


第十二章 驱动技术瓶颈与挑战分析


  • 驱动技术-驱动方案分类

  • 驱动技术-驱动IC的重要性

  • 驱动技术-LED的伏安特性与光通量关係

  • 驱动技术-开关电源控制技术分类

  • 驱动技术-开关电源控制PWM与Duty Cycle的关系

  • 驱动技术-显示屏驱动方案-主动式驱动与被动式驱动比较

  • 驱动技术-显示屏驱动方案-扫描方式与画面更新率

  • 驱动技术-显示屏驱动方案-小间距显示屏问题点分析

  • 驱动技术-TFT薄膜电晶体-液晶显示器之驱动架构

  • 驱动技术-TFT薄膜电晶体-主动式驱动 V.S 被动式驱动

  • 驱动技术-TFT薄膜电晶体-影响显示品质之干扰因素分析

  • 驱动技术-OLED驱动方案-OLED的光电特性

  • 驱动技术-OLED驱动方案-被动式驱动

  • 驱动技术-OLED驱动方案-主动式驱动

  • 驱动技术-Micro LED驱动方案-被动式驱动

  • 驱动技术-Micro LED驱动方案-主动式驱动

  • OLED显示器 vs Micro LED显示器电源驱动模组差异性


第十三章 驱动技术瓶颈与挑战分析


  • 背板技术-显示器背板的架构

  • 背板技术-背板材料的分类

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板与画素开关元件运作原理

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板与画素开关元件特性

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板的尺寸发展

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板胀缩挑战

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板搭配开关元件应用现况

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板画素开关元件架构

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板a-Si画素开关元件制程

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板IGZO画素开关元件制程

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板LTPS画素开关元件制程

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板画素开关元件解析度差异

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板画素开关元件功耗差异

  • 背板技术-整合式背板-玻璃基板画素开关元件漏电性差异

  • 背板技术-整合式背板-可挠式基板基板与画素开关元件特性

  • 背板技术-整合式背板-可挠式基板制作流程

  • 背板技术-整合式背板-可挠式基板材料特性

  • 背板技术-整合式背板- Silicon背板架构

  • 背板技术-整合式背板- Silicon背板制作流程

  • 背板技术-整合式背板- Silicon背板材料特性

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板外观架构

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板结构

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板基材热效应

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板基材差异性比较

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板制作挑战

  • 背板技术-非整合式背板-印刷电路板尺寸限制

  • 背板技术差异性比较

  • 背板技术-适用性分析


第十四章 Micro LED 供应链与厂商布局分析


  • 全球Micro LED主要厂商供应链分析

  • 区域厂商产品策略与开发动态分析-中国台湾厂商

  • 区域厂商产品策略与开发动态分析-中国大陆厂商

  • 区域厂商产品策略与开发动态分析-韩国厂商

  • 区域厂商产品策略与开发动态分析-日本厂商

  • 区域厂商产品策略与开发动态分析-欧美厂商




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   封面来源:拍信网正版图库


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