日前，国星光电公布了MiniLED产品的最新规划，随后，该公司在行业论坛上也透露了Micro LED技术研发的最新进展。
今年6月，国星推出第一代Micro LED显示新品nStarⅠ，采用玻璃基板工艺、RGB芯片巨量转移技术以及一体式超薄封装技术，有助于实现被动式驱动Micro LED全彩显示屏。
国星Micro LED显示新品nStarⅠ（图片来源：国星）
目前，国星光电在Micro LED领域已实现了较大的技术突破，在第一代Micro LED显示屏的基础上，已与面板厂合作开发出基于TFT玻璃背板的主动式驱动Micro LED全彩显示屏。
近日，国星采用自主研发的巨量转移技术，已经初步实现250PPI以上红/绿/蓝单色转移键合点亮。预计明年将实现P0.1以下的主动式驱动全彩显示及P0.0x以下的被动式驱动单色显示，未来可渗透在4k/8k大尺寸电视显示屏、车载显示屏、穿戴设备显示设备、AR/VR等应用市场。
MiniLED芯片方面，早前公开消息显示，国星半导体的Mini芯片已通过客户验证规格，可供应直显与背光产品，目前实现小批量出货。
本月底，国星RGB事业部将推出高性价比国星MiniLED IMD-M09标准版，预计在2021年做到0.015元/像素点。在承接了SMD 1010在规模化和价格上的优势的基础上，MiniLED IMD-M09标准版未来价格有望低于SMD 1010。
产能方面，国星现有IMD产能是1000KK/月，预计2021年Q1将显著提升。值得注意的是，19亿的新基地扩产项目将于明年开始启用。
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