大数跨境
首页
>
技术新进展！Plessey宣布开发出世界首个硅基InGaN红光LED
>
0
0

技术新进展！Plessey宣布开发出世界首个硅基InGaN红光LED

技术新进展！Plessey宣布开发出世界首个硅基InGaN红光LED 近眼显示
2019-12-06
0
导读：为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径


日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。


尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产，但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说，由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的腔损耗，实现高效超小间距红色像素（<5μm）仍然遥不可及。


图片来源：Plessey


与现有的基于AlInGaP的红光相比，基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200mm或300mm晶圆以及更好的热/冷系数，因此具有极大的吸引力。


然而，由于铟含量高，在有源区中引起显著的应变，从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷，因此，使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。Plessey通过使用专有的应变设计的有源区来制造高效的InGaN Red LED，成功克服了这些挑战。


图片来源：Plessey


Plessey的InGaN Red Micro LED在10A/cm2时的波长为630nm，半峰全宽为50nm，热冷系数超过90%，并且在超小像素间距中，其效率高于传统的AlInGaP和颜色转换的红光。有了这个结果，Plessey现在可以制造天然的蓝、绿和红InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平台调谐400至650nm的波长。


图片来源：Plessey


Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示：“这是一个令人振奋的结果，因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径，将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”


 译自Plessey 



更多深入行情，点击了解LEDinside《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》。


推荐阅读 > 



【声明】内容源于网络
0
0
近眼显示
TrendForce集邦咨询旗下近眼显示研究处。研究领域包括Micro LED/OLED近眼显示应用、XR（AR/VR/MR）头戴式装置等方面。
内容 2146
粉丝 0
近眼显示 TrendForce集邦咨询旗下近眼显示研究处。研究领域包括Micro LED/OLED近眼显示应用、XR（AR/VR/MR）头戴式装置等方面。
总阅读3.6k
粉丝0
内容2.1k