据外媒报道,剑桥大学附属公司、GaN Micro LED材料开发商Porotech筹集了300万英镑(约合人民币2690万元)资金,资金将用于推动其下一阶段Micro LED生产技术的发展。
据悉,Porotech开发了一类新型的多孔GaN半导体材料,并宣称相比现有材料,新型材料在性能上有所提升。基于Porotech独有的工艺,采用相同的GaN材料就能够生产出R/G/B LED,并集成于单一晶圆上。
来源:LEDinside
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据外媒报道,剑桥大学附属公司、GaN Micro LED材料开发商Porotech筹集了300万英镑(约合人民币2690万元)资金,资金将用于推动其下一阶段Micro LED生产技术的发展。
据悉,Porotech开发了一类新型的多孔GaN半导体材料,并宣称相比现有材料,新型材料在性能上有所提升。基于Porotech独有的工艺,采用相同的GaN材料就能够生产出R/G/B LED,并集成于单一晶圆上。
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