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兆驰半导体/乾照/国星半导体/镭昱公布Micro LED专利

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2024-07-23

导读：专利速览

近日，兆驰半导体、乾照光电、国星半导体、镭昱光电相继公布了最新Micro LED专利，涉及Micro LED检测、芯片制备、显示面板制备等。

兆驰半导体：Micro LED检测设备

兆驰半导体公布了名为“Micro LED检测设备”的实用新型专利，公布号CN221350483U，公布日期2024年7月16日。

该实用新型公开了一种Micro LED检测设备，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、CCD检测探头，所述透明基板上放置有待测Micro LED芯片，所述光罩板上设有与所述待测Micro LED芯片所处位置相匹配的透光孔。本实用新型提供的Micro LED检测设备能够快速筛查出异常芯片并进行剔除。

图片来源：国家专利局

乾照光电：一种Micro LED芯片及其制备方法

由乾照光电控股的厦门未来显示技术研究院有限公司，在近日公布称为“一种Micro LED芯片及其制备方法”的发明专利，公布号CN118335867A。该专利可进一步提高Micro LED芯片的发光效率。

图片来源：国家专利局

具体来看，该专利公开了一种Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体发光二极管领域，该Micro LED芯片包括：衬底和量子阱层，量子阱层中的AlInP势垒层的Al组分的含量在第一方向上逐渐增加，使得GaInP势阱层和AlInP势垒层之间的势能差逐渐增大，并且由于铝组分较高的势垒层具有更高的势垒，能够将载流子束缚在有源区内增加电子空穴复合几率，增强了电流的横向扩展和纵向扩展，从而提高Micro LED芯片的发光效率和亮度；同时还能够保证高铝组分的AlInP势垒层与低势能的GaInP势阱层在材料上不存在失配，提高有源区的晶体生长质量。

国星半导体：公布两项Micro LED显示制备专利

国星半导体公布了一项名为“Micro LED显示装置及其制备方法”的专利，申请公布号：CN118367069A。

图片来源：国家专利局

该发明公开了一种Micro LED显示装置的制备方法，包括以下步骤：(1)提供Micro LED发光结构，包括依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，在所述衬底背面制备应力补偿层；(2)在所述P型半导体层上制备电流扩展层、第一键合层和第一临时键合层；(3)提供驱动基板，并在所述驱动基板表面设置第二键合层和第二临时键合层；(4)利用键合工艺将Micro LED芯片及驱动基板键合；(5)制备单个Micro LED像素；(6)在所述单个Micro LED像素间沉积钝化层，并暴露出N型半导体层；(7)在所述钝化层外制备共N电极；(8)在所述Micro LED像素之间制备金属反射层，得到Micro LED显示装置。

另外，国星半导体还公布了名为“一种Micro LED显示面板及其制备方法”的专利，申请公布号CN118367070A。

图片来源：国家专利局

该发明公开了一种Micro LED显示面板及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)提供半导体发光结构；(2)在半导体发光结构上制备电流扩展层、第一金属反射层和第一键合层；(3)提供驱动基板，驱动基板表面间隔设有第二键合层；(4)将半导体发光结构键合至驱动基板上，形成金属键合层；(5)制备出单个Micro LED像素；(6)在单个Micro LED像素间沉积钝化层，并暴露出N型半导体层；(7)在所述钝化层外制备共N电极；(8)在Micro LED像素之间制备第二金属反射层，并在第二金属反射层上喷涂荧光粉层，得到Micro LED显示面板。本发明能够减少键合金属刻蚀的厚度，从而减少刻蚀对芯片侧壁的损伤。

镭昱光电：Micro LED显示芯片及其制备方法

镭昱光电的一项名为“Micro LED显示芯片及其制备方法”的发明专利已获授权，授权公告号：CN118099336B。

图片来源：国家专利局

该专利提供了一种Micro LED显示芯片及其制备方法，该Micro LED显示芯片包括驱动面板、多个LED单元和挡光层，多个LED单元彼此间隔设置于驱动面板的一侧表面上，挡光层限定出多个栅格孔，挡光层位于驱动面板朝向LED单元的一侧表面上，使多个LED单元一一对应收容于多个栅格孔内；其中，挡光层与驱动面板之间的距离小于LED单元的发光层与驱动面板之间的距离。本申请的方案可有效减少或防止相邻LED单元之间发生光线串扰，提升Micro LED显示芯片的发光亮度。