近日，国内外高校相继在Micro LED研究上又有新进展。
香港科技大学 (HKUST) 的研究团队展示了一种新技术，可利用InGaN和AlGaInP半导体材料的异质集成实现全彩Micro LED显示器。
据悉，研究团队制造了一款Micro LED微型显示器原型，具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。为了实现全彩显示效果，团队开发了一种集成蓝、绿和红光的Micro LED阵列双层显示架构。
通过异构集成的方法，团队能够利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分别实现蓝、绿和红光发射。
研究人员表示，新技术与多堆栈晶圆键合或颜色转换等现有技术相比，其简化了制造流程。利用该技术，研究团队成功地在微显示器上显示全彩图像，显示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究团队表示，通过增强像素驱动器和优化GaN双色外延片的方法，可以进一步改善微显示器的颜色混合并实现超过4000尼特的亮度。
谢菲尔德大学的研究人员开发了一种Micro LED制造新方法，称作Confined selective epitaxy (CSE) 的技术。该技术允许在外延生长过程中直接形成Micro LED，而不是使用传统的蚀刻工艺。新技术避免等离子体损坏，显着提高Micro LED的性能和功能。研究团队表示CSE技术可有效解决Micro LED面临的多项生产挑战。
据团队介绍，在效率方面，CSE技术实现了尺寸为3.6μm的绿光Micro LED，峰值外部量子效率达到9%，较蚀刻技术打造的Micro LED提升1~5%。
在波长方面，CSE技术可实现以直接生长红光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率。在电流泄漏方面，CSE技术可将Micro LED侧壁泄漏电流密度降低至3×10-6A/cm2，减少显示器像素的无意激活。
在集成度方面，CSE技术实现了Micro LED与HEMT驱动器电子器件的直接集成，避免了复杂的组装步骤。
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