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惠科Micro LED技术取得突破

惠科Micro LED技术取得突破 近眼显示
2025-02-18
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导读:提升了生产效率与显示效果


近日,HKC惠科在高端显示领域取得重大突破,成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片 (SiMiP)在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。该技术基于立琻半导体SiMiP芯片基础上的共同研发,提升了生产效率与显示效果。


基于微间距LED大屏直显领域迅速发展, 伴随着像素间距的进一步微缩,缩小芯片在COB产品的需求急速提升。MiP方案成为微间距大屏直显技术发展的选择之一。


图片来源:惠科


惠科与立琻半导体融合双方在芯片, 显示方案及产业链资源上的核心优势,成功推动SiMiP芯片技术的应用落地。此次研发的SiMiP技术通过单芯集成红绿蓝三基色像元,简化生产与修复工艺,该技术可大幅提高微间距LED显示模组生产的直通良率,显著降低生产成本,兼具高性能和成本的优势。


据介绍,SiMiP采用单芯片集成方案,无需复杂的巨量转移和修复工艺,直通良率显著提高;通过创新技术路线,减少传统工艺中的复杂环节,同时避免使用有毒材料,更具环保优势;红绿蓝三基色像元在发光波长、工作电压及出光分布上具有高度一致性,从根本上解决了传统方案的色偏问题。




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