“一种Micro LED外延片及其制备方法、LED芯片”专利进入授权阶段。本发明中的Micro LED外延片,通过采用AlNbN作为第一缓冲子层材料使得具有更小的晶格失配度,能更好的起到缓冲过渡的作用,可以降低因晶格失配而产生的位错,从而提高外延层生长的晶体质量。
此外,AlONbN具有很低的内应力,采用AlONbN作为第二缓冲子层能够调节外延层的翘曲,解决了现有技术中的缺少一种满足Micro LED显示需要求的位错密度低、晶体质量高、发光效率高的Micro LED外延片问题。
发明专利公开了一种集成式立体Micro LED及其制作方法,所述Micro LED包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。
发明在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层,利用导电衬底上下电性倒通的特性,省去激光剥离衬底的问题,在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接,形成阵列模式,同时配合第一电极和第二电极,实现Micro LED的集成,解决了巨量转移的问题。
“一种用于Micro LED投影仪的散热结构”的发明专利。专利公开了一种用于Micro LED投影仪的散热结构,通过TEC和热管散热器组合的散热结构对Micro LED进行散热,有效控制Micro LED温升。

“基于纳米阻隔法实现Micro-QLED彩色投影光学引擎及制备方法”的专利处于公布阶段。该专利在量子点发光层利用纳米阻隔层的设计,可以降低不同颜色像素之间的色彩串扰,同时增加像素从单面发射的亮度以及分辨率,最终得到高色纯度的图像。


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