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京东方、兆驰半导体等6企公布Micro LED最新专利进展

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2025-06-12

导读：专利速览

近日，京东方、兆驰半导体、镭昱光电、明阳电路、精微科技、奇力电子公布Micro LED专利申请最新进展，涉及Micro LED显示基板、外延片、垂直堆叠全彩显示、激光巨量转移等技术内容。

京东方申请Micro LED显示基板专利，实现全彩图像的显示

国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置”的专利，公开号CN120113372A，申请日期为2023年09月。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要显示，该专利公开提供了一种Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置，Micro LED显示基板包括：驱动背板、多个Micro LED结构和多个色转换结构。其中，多个Micro LED结构间隔设置于驱动背板之上，且与驱动背板电连接；各Micro LED结构用于出射相同颜色的光线。一个色转换结构与一个Micro LED结构相对应，各色转换结构位于对应的Micro LED结构背离驱动背板的一侧，用于将对应的Micro LED结构出射的光线转换为设定颜色的光线，从而实现全彩图像的显示。

兆驰半导体取得Micro-LED外延片制备方法专利

国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利，授权公告号CN119364943B，申请日期为2024年12月。

图片来源：国家知识产权局

该发明公开了一种Micro-LED外延片及其制备方法、涉及半导体光电器件领域。其中，Micro-LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层；

所述第一翘曲调控层为三维GaN层，所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层，所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层，所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层。实施本发明，可提升Micro-LED的发光效率和波长均匀性。

镭昱光电申请Micro-LED显示芯片专利，提升量子效率

国家知识产权局信息显示，镭昱光电科技（苏州）有限公司申请一项名为“Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法”的专利，公开号CN120112035A，申请日期为2025年02月。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法，Micro-LED显示芯片包括了驱动面板、多个LED单元、多个栅格结构和波长转换层，而波长转换层背离于LED单元的一侧形成有粗糙层，基于此通过粗糙层的设置可以使Micro-LED显示芯片具备更大的出光表面积，进而可以改变光的出射方向，减少光子在界面处发生全反射，增加光子透过率，从而达到提升量子效率的目的，通过提高光子透过率可以提升Micro-LED显示芯片的显示亮度和色彩饱和度。

明阳电路取得一种Micro-led芯板及其制备方法专利

国家知识产权局信息显示，深圳明阳电路科技股份有限公司取得一项名为“一种micro-led芯板及其制备方法”的专利，授权公告号 CN117219718B，申请日期为2023年10月。

图片来源：国家知识产权局

该发明公开了一种micro-led芯板及其制备方法，其中，micro-led芯板的制备方法包括：在载板的封装区域涂覆过滤层；在载板中内嵌白色光源；经过白色光源照射的过滤层形成micro-led芯片。本发明提供的一种micro-led芯板及其制备方法，通过过滤层和白色光源的设置，实现不micro-led芯片的效果，本申请制备方法简单，设备成本低，能够有效降低micro-led芯片的封装成本，扩大micro-led显示技术的应用范围。

精微科技: 垂直堆叠全彩Micro-LED专利公布

国家知识产权局信息显示，武汉市精微科技有限公司的“垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板”专利进入审中公布阶段，公开号CN120091673A。

图片来源：国家知识产权局

本发明公开了一种垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板，所述垂直堆叠全彩Micro-LED包括外延结构和电极结构；

外延结构由下至上包括蓝光LED外延层、绿光LED外延层和红光LED外延层；绿光LED外延层和红光LED外延层内设置有直达蓝光LED外延层的第一电极通孔，蓝光LED外延层、绿光LED外延层和红光LED外延层外侧设置有第二电极通孔，红光LED外延层的外侧设置有第三电极通孔以及直达绿光LED外延层的第四电极通孔和第五电极通孔；电极结构包括蓝光阳极电极、红蓝光共阴极电极、红光阳极电极、绿光阳极电极和绿光阴极电极。

奇力电子：Micro-LED微显示巨量转移专利进入有效授权阶段

国家知识产权局信息显示，深圳奇立电子科技有限公司“Micro-LED微显示器件激光巨量转移方法及装置”进入有效授权阶段，公开号CN119794581A。

本发明涉及一种Micro-LED微显示器件激光巨量转移方法及装置，包括以下步骤：对解离后的Micro-LED微显示器件进行微显示器件拍摄，得到Micro-LED微显示器件位置和Micro-LED微显示器件形态图像；

图片来源：国家知识产权局

基于Micro-LED微显示器件位置和Micro-LED微显示器件形态图像将解离后的Micro-LED微显示器件拾取至目标基板上，得到转移后的Micro-LED微显示器件阵列；对转移后的Micro-LED微显示器件阵列进行固定，得到固定在目标基板上的Micro-LED微显示器件阵列；

对固定在目标基板上的Micro-LED微显示器件阵列进行电性能测试，得到电性能参数，并将电性能参数低于电性能参数阈值的Micro-LED微显示器件剔除出，得到合格的Micro-LED微显示器件阵列，解决了传统的转移方法如机械转移和印刷转移，通常效率低下，且容易在转移过程中损坏微小的Micro-LED微显示器件的技术问题。