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三项最新Micro LED专利一览

近眼显示

2024-11-12

导读：专利速览

近日，长虹旗下启睿克、思坦科技、厦门未来显示技术研究院公布最新Micro LED专利，涉及提升Micro LED红光亮度、简化Micro LED结构提升亮度、实现低成本全彩化显示等。

启睿克：Micro-LED与Micro-QLED混合投影技术，突破红光亮度问题

11月8日，长虹旗下四川启睿克科技有限公司宣布获得一项专利，名为“基于Micro-LED和Micro-QLED的混合式投影光学装置”，公布号为CN221960401U。这项技术不仅将改变传统投影设备的设计方式，还将有效解决当前许多投影技术面临的红光亮度不足的问题。

图片来源：国家知识产权局

该专利的核心在于混合使用Micro-LED与Micro-QLED两种显示技术。Micro-LED以其高亮度和宽广的色域著称，而Micro-QLED则以出色的色彩表现和更高的像素密度而获得广泛认可。借助X-Cube合色棱镜，四川启睿克实现了色彩的高效组合，尤其是在红光亮度的提升上，形成了一个更加完善的光源解决方案。

具体来看，该投影光学装置设计中，绿光Micro-LED微显示屏正对投影镜头的入光口，而蓝光Micro-LED和红光Micro-QLED则分别与绿光Micro-LED呈90度角排列。这样的布局并不是偶然，而是一种深思熟虑的工程设计，结合了两种技术的优点，有效减少了红光的光损失，从而大幅提升了红光亮度，尤其是在需要展现鲜艳色彩的图像时，表现出显著优势。这一点在户外及明亮环境中的投影效果尤为显著，能够更好满足用户在各种光照条件下的使用需求。

思坦科技：简化Micro LED发光结构，提升光电效率

国家知识产权局信息显示，深圳市思坦科技有限公司申请一项名为“Micro-LED发光结构及其制作方法和电子设备”的专利，公开号CN118919614A，申请日期为2024年8月。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要显示，本申请提供了一种Micro LED发光结构的制作方法、Micro LED发光结构和电子设备。该制作方法包括：在衬底上生长缓冲层和外延层，在外延层上形成掩模钝化层，干法刻蚀掩模钝化层形成多个像素空间和多个像素隔离部，在刻蚀后的掩模钝化层上逐层形成量子阱发光层、电子限制层和电流扩散层，应用湿法工艺刻蚀像素隔离部直至显露外延层，得到在像素空间中形成的侧壁完好的台阶像素结构。本申请的方法制作的Micro LED发光结构的侧壁完好，光电效率提升，该方法还简化了发光结构的加工流程。

厦门未来显示技术研究院：节省晶圆面积，实现Micro LED全彩化

11月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门未来显示技术研究院有限公司申请一项名为“一种具有叠层的Micro-LED芯片及其制作方法”的专利，公开号CN118919622A，申请日期为2024年9月。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要显示，本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法，利用呈阶梯状的叠层技术，使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域，可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上，可最大限度地节省晶圆面积实现全彩化，降低生产成本；同时结合所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的设置，如此可避免聚合物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净现象。