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良率超99.9995%,美国Micro LED公司推出新巨量转移技术
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良率超99.9995%,美国Micro LED公司推出新巨量转移技术
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2025-07-24
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导读:前沿技术
7月22日,美国
Micro LED
显示技术初创公司
Q-Pixel
发布其
最新巨量转移
技术Q-Transfer
,
新技术实现了超过99.9995%的转移良率,远超传统
巨量
转移方法
。
Q-Pixel展示了
基于
Q-Transfer技术制造的
Micro LED
原型显示面板。该面板
采用了
10
μm的
可调波长多色LED
(
Tunable Polychromatic LED(TP-LED)
)
像素,具备每英寸500像素以上(PPI)的高密度显示效果
。
在
Micro LED
转移过程中
,
无任何像素缺失
情况出现
,展现超99.9995%
的高
转移
良率。
Q-Pixel
方面表示,
Q-Transfer
技术
发布是
公司发展
的关键里程碑。Q-Transfer技术为显示产业带来了更简单、更具成本效益的
Micro LED
解决方案
,
释放了
M
icro
LED的潜力,不再局限于AR/VR市场,还可拓展至智能手表、智能手机及其他大尺寸设备市场。
值得注意的是,
此前
Q-Pixel已
发布多款高清Micro LED显示器产品
,包括
自研的
全球最高分辨率
全彩
主动式矩阵显示
器
(6800 PPI)、全球最小全彩像素(直径仅1微米
)
制成的被动式10000 PPI Micro LED显示器
等产品
。
随着巨量转移技术的突破,未来
Q-Pixel
将有望推出更多高清全彩Micro LED显示产品。
巨量转移技术持续突破中
巨量转移是Micro LED产业化的难点之一,如何将几百万甚至数千万颗微米级LED芯片从生长衬底上高速、精准、低成本地转移至驱动背板上,是行业长期面对的课题。
然而随着时间的推移,
巨量转移的问题正在被逐渐攻破,企业通过不同解决方案,持续提升这巨量转移的良率,加速Micro LED量产进程。
除Q-Pixel外,国内也有许多LED、显示企业也在持续突破巨量转移难题当中。
在LED领域,今年4月,利亚德发布了新一代黑钻(Hi-Micro)技术,采用了自主研发的激光巨量转移工艺打造,提升了转移效率与系统稳定性。
洲明科技通过布局MiP封装技术,突破巨量转移技术难题,实现了Micro LED 30 μm*50μm尺寸无衬底技术0202封装,并同步实现MiP P0.4间距显示产品的量产。
国星光电则在积极研究Micro LED前沿技术,通过聚焦Micro LED巨量转移技术瓶颈问题,研发出平面热压巨量键合工艺,实现Micro LED芯片与基板高精度、高密度电气连接,保障Micro LED产品实现高分辨率、高亮度、高色彩饱和度的显示特性。
辰显光电在去年底发布了新一代TFT基Micro-LED拼接屏,采用了尺寸仅为25微米的Micro-LED芯片,通过国际领先的99.995%的巨量转移及修复良率,屏幕搭载了3300万颗LED(88英寸P0.5产品)。辰显光电表示,巨量转移及修复方案已到量产准备阶段。
深康佳在Micro LED领域主要供应的Micro LED外延产品主要是4英寸和6英寸产品。深康佳此前曾表示,公司的混合式巨量转移技术良率已达到99.999%,所生产的产品可应用于智能穿戴、AR/VR、车载及大屏显示等领域。
除LED厂商外,许多面板厂商也在积极布局Micro LED,因此,这些企业也是助力突破巨量转移难题的关键一份子。
例如,京东方同时发展基于COG (Chip-on-Glass)和COB(Chip-on-Board) 技术的RGB Mini/Micro LED直显解决方案,以及Mini LED背光解决方案 。此前,京东方已与国际装备公司合作开发巨量转移技术,完成第2.5代巨量转移先导线建设。
TCL华星与三安光电成立了合资公司芯颖显示,公司主要聚焦在LED芯片小型化、发光效率提升、转移键合技术开发、背板材料工艺研究以及驱动和补偿算法优化等四大技术攻克上。
深天马在去年底完成了G3.5代Micro LED生产线贯通,该产线利用LTPS TFT玻璃基板和先进的全激光巨量转移工艺,能够生产出无尺寸限制、可无边框拼接的Micro LED显示产品。
友达在Micro LED的关键制程,特别是巨量转移技术上投入研发,已开发出自有的解决方案,以提高生产效率和良率...
小结
目前,国内外企业都在Micro LED关键制程上进行着最新布局,持续推进巨量转移等难点技术的研究,在此背景下,未来Micro LED产业化难题有望再次加速突破。
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#LED显示
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TrendForce集邦咨询旗下近眼显示研究处。研究领域包括Micro LED/OLED近眼显示应用、XR(AR/VR/MR)头戴式装置等方面。
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