
演讲主题
电磁器件逆设计 3月28日9:30-10:10
演讲专家

会议概要
传统的电磁器件构建策略是先通过“解耦式分离”设计功能单一的孤立器件,再将多种孤立器件以“积木式集成”方式组合成多功能电磁组件;其设计方法是先根据“先验知识”选定器件初始结构/组件初始模型,再通过“参数优化”使器件/组件达到设计目标。随着系统复杂度的急剧增加,传统构建策略和设计方法已难以满足日益复杂的电磁器件功能设计需求。本报告将介绍电磁器件逆设计的构建策略与设计方法,并结合波导器件介绍采用内嵌解析模型的物理启发神经网络进行电磁器件逆设计的案例。
专家介绍
王秉中,电子科技大学应用物理研究所教授。现为享受国务院政府特殊津贴专家,中国电子学会会士,中国电子学会微波分会副主任委员,IEEE MTT-S成都Chapter主席。目前感兴趣的研究领域有计算电磁学、天线理论与技术、时间反演电磁学。


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(以上参展商排名不分先后,更新截止至3月1日)


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