华南理工大学薛泉教授：一种基于集总和分布参数协同设计的锗化硅毫米波太赫兹芯片电路【天线与微波技术研讨会】

IME微波会

2018-02-26

导读：本报告围绕在基于锗化硅技术的关键无源器件建模分析，充分利用锗化硅工艺垂直立体金属层分布特点，首次结合集总参数与分布参数电路设计特点，提出了一系列无源芯片电路（如滤波器，耦合器）基本模型与建模技术。

报告概要：作为备受关注的毫米波与太赫兹射频前端关键性技术，新一代锗化硅（SiGe）工艺具有较高的截止频率，对高性能毫米波太赫兹器件具有广泛的应用研究价值。本研究围绕在基于锗化硅技术的关键无源器件建模分析，充分利用锗化硅工艺垂直立体金属层分布特点，首次结合集总参数与分布参数电路设计特点，提出了一系列无源芯片电路（如滤波器，耦合器）基本模型与建模技术。实现了芯片电路的小型化，高性能，高度集成等一系列技术性突破。并成功将立体无源芯片的设计与有源电路的有机结合，总结出一套灵活运用集总和分布参数的协同设计方式实现毫米波、亚太赫兹高集成度的有源电路设计。

会议时间：3月7日下午 13:30–14:30

会议地点：南京金陵饭店二层昆仑厅 (汉中路2号)

嘉宾介绍：

薛泉，分别于1988，1991和1993年获电子科技大学学士、硕士和博士学位，1993年9月留校工作。1995年破格晋升电子科技大学副教授，1997年破格晋升电子科技大学教授。1997年10月至1998年10月在香港中文大学人副研究员、研究员。1999年加入香港城市大学，历任研究员、高级科学主任、副教授、教授、讲座教授，香港城市大学协理副校长，深圳国瑞通讯有限公司总经理，香港上市公司中慧有限公司独立董事。现任毫米波国家重点实验室常务副主任、应用电磁学实验室主任、信息与通信研究中心主任。2017年加入华南理工大学，任电信学院院长。国家中组部千人计划专家。先后担任IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques及IEEE Transaction on Industrial Electronics副主编, 现任IEEE Transactions on Antennas and Propagation副主编。

在国际著名刊物上发表SCI收录论文330余篇, 国际会议论文190余篇。拥有5项中国专利和23项美国专利，其中5项成功转让给美国著名公司。论文他引次数超过5600次，单篇论文他达280余次，H-index 为40。目前的研究方向包括微波电路与系统、射频集成电路、天线、太赫兹技术等。

曾获中国国家技术发明二等奖1项，广东省科学技术一等奖1项。2011年获选IEEE Fellow。2107年荣获IEEE国际惠勒天线论文奖（IEEE Wheeler Antenna Paper Award）。

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