2025 年第二季度，全球存储市场迎来显著复苏信号。据 Counterpoint 最新发布的《全球内存市场追踪与预测报告（2025 年第二季度）》显示，全球 NAND 闪存市场本季度实现 24% 的环比强劲增长。
这一增长态势，一方面源于上季度市场的低基数效应 ——2025 年 Q1 全球 NAND 市场因企业级 SSD 需求疲软，规模环比暴跌 25.3% 至仅 130.1 亿美元，形成 “深跌后的反弹”；另一方面，下游 PC、移动设备及数据中心在经历 2024 年去库存周期后，于 Q2 集中启动库存回补，带动 NAND bit 出货量环比增长超 10%，不仅消化了存量产能，更强化了市场对需求复苏的预期。
值得关注的是，国内 NAND 巨头长江存储在此次市场复苏中表现亮眼，全球市场份额首次达到 9%，距离两位数仅一步之遥。这一突破背后，是技术、资本与政策的多重支撑：技术层面，长江存储的晶栈 Xtacking 4.0 架构实现存储密度与传输速度双重提升，在消费级与企业级市场具备竞争力；资本层面，其母公司长存集团完成股改后估值超 1600 亿元，累计融资超百亿元，并启动 207 亿元三期项目扩大产能；政策与市场层面，国内将存储芯片列为核心突破领域，叠加数据中心、AI 算力基础设施建设的庞大需求，为长江存储提供了稳定的本土市场支撑。
市场热度还将进一步攀升。据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士等全球主要内存供应商，计划在 2025 年第四季度继续上调存储产品报价，其中 DRAM 和 NAND 价格涨幅最高将达 30%。此次涨价的核心驱动力，是 AI 需求引发的存储市场结构性变革：单个 AI 服务器的存储容量需求是传统服务器的 8-10 倍，OpenAI “星际之门” 项目每月采购的 DRAM 晶圆占全球总产能近 40%，而海外巨头同时将产能向 HBM、DDR5 等高利润产品转移，主动缩减传统存储产能，形成的供需缺口，推动涨价幅度从前期预期的 10% 大幅提升。
对于行业未来走向，市场机构分析指出三大趋势：
一是涨价周期有望延续至 2026 年，AI 需求的长期性与产能扩张 18-24 个月的周期差，叠加国际服务器厂商签订 2-3 年长期协议、囤货的 “恐慌性备货” 行为，将持续放大涨价效应；
二是市场格局呈现 “高端集中、中低端替代”，三星、SK 海力士等头部企业聚焦 HBM、企业级 SSD 高端市场，长江存储、长鑫存储等国内企业则在消费级、利基型市场加速替代，预计 2025 年底长鑫存储 DDR5 市场份额将达 7%，长江存储 NAND 份额有望冲击 12%；
三是产业链业绩分化加剧，三星、SK 海力士、长江存储等具备产能与技术优势的 IDM 企业盈利弹性最大，模组厂商业绩取决于库存成本与议价能力，接口芯片企业则受益于技术迭代，增长更具持续性。
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