施敏院士将出席2019世界半导体大会

中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、中国台湾中央研究院院士、中国台湾工业研究院院士、IEEE Life Fellow施敏（Simon Sze）先生将回到家乡出席“2019世界半导体大会”开幕式并在高峰论坛发表题为 《The Floating-Gate Memory: The Prime Technology Driver of the 4th Industrial Revaluation》的主题演讲。

施敏院士，1936年出生于南京，1963年获得斯坦福大学博士学位，毕业后进入贝尔实验室工作，直到1990年退休。1967年发明了浮栅型晶体管，之后广泛应用于非失性存储器；1969年编著《Physics of Semiconductor Devices》并出版；1991年获得IEEE电子器件Ebers奖；1994年当选为中国台湾中央研究院院士；1995年当选为美国国家工程院院士；1998年当选为中国工程院外籍院士。

施敏院士将出席2019世界半导体大会并带来半导体领域最前沿技术和发展趋势，能够加强中美半导体产业交流，促进半导体行业健康快速发展。