全球DRAM超级周期正式来临，存储产品的长期供应将持续紧张。
自第二季度以来，DDR4价格一路攀升，带动DDR5也回升，让近期有装机需求的消费者因此面临更高成本压力。
9月美光科技和SanDisk相继发布涨价通知。
SanDisk宣布产品价格上调逾10%后，美光也通知渠道商，产品将上涨20%至30%。
价格飙升的背后源于AI的爆发性增长。
AI正推动DRAM产品进入新的超级周期。
核心驱动力来自HBM的广泛应用，特别是科技巨头积极开发定制化ASIC芯片，提升AI系统的效能。
AI高速发展，DRAM产能正承受前所未有的压力。
每一套AI计算集群都需要大量HBM，进一步推升了对基础DRAM晶圆的需求。
数据显示，全球DRAM供应商的库存仅3周左右，创近七年新低，远低于行业平均的10周，显示市场供不应求的压力正急速升高。
除了AMD、英伟达等公司对HBM的庞大需求外，各大科技公司也积极开发AI ASIC芯片，进一步推升了市场对DRAM的需求预期。
瑞银分析师预测，OpenAI即将推出的ASIC芯片将用12层堆叠的HBM3E技术。
可能在2026至2029年间消耗全球每月50万至60万片DRAM晶圆产能。
此外，OpenAI的星际之门（Stargate）超级运算集群，预估每月将消耗90万片DRAM晶圆，约占据全球总供应量的40%，使 DRAM的战略地位与先进制程芯片相当。
短期内，各家供应商难以大幅提升产能。为满足AI需求，三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商，已将部分产线转向HBM产品，并升级至1c nm制程提升产能。
由于全球DRAM产能高度集中于韩国，未来数年如何满足AI产业的庞大需求，将是业界面临的关键挑战。
随着HBM4等新一代技术即将推出，需求预料将进一步扩大，加速DRAM产业的成长。
目前，扩充DRAM供应仍是满足科技巨头对HBM强烈需求的唯一办法。
转自：芯调查
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