这是一篇Trendforce上价值2万刀的报告，短短13页的报告，就敢收费2w刀，我也是花了很大的成本才买到的，心在滴血。
我们还买了Trendforce的其他报告，后面的文章都会讲到。我们本文把报告的内容总结一下。我们还下载到了最新的HBM市场的详细表格数据，对我们做投资决策很有帮助。
市场概况与需求驱动
2025年全球HBM（高带宽内存）消耗量预计达到16.97B Gb，年增长率达162.2%，较上一季度预测值小幅上修，主要得益于NVIDIA与AWS的AI芯片需求超预期。其中，NVIDIA凭借Blackwell平台GPU的快速迭代占据70%的市场份额，其配套的HBM3e 12hi产品成为需求主力。AWS则因中美地缘政治风险加速采购，推动自身HBM消耗量占比提升至8%。从技术结构看，HBM3e系列（尤其是12hi层数产品）几乎垄断市场，占比超过95%，而HBM3和HBM2e因技术迭代逐步退出，合计份额不足5%。
尽管市场整体增长强劲，但供应链的波动风险不容忽视。例如，美国对中国HBM出口的限制导致中国客户提前囤货，间接推高了2025年一季度NVIDIA和AMD的出货量。与此同时，HBM4的技术升级（更大晶粒尺寸和更多TSV穿孔）导致前段制造成本增加，预计其价格将比HBM3e溢价15%。不过，2026年三大供应商新产能释放可能引发价格竞争，尤其HBM3e等成熟产品价格或面临下跌压力。
供应商竞争格局
SK海力士凭借技术领先和稳定的良率，稳居市场主导地位。2025年其出货量预计达12.4B Gb，市占率52%，主要得益于对NVIDIA的独家供应优势。其HBM3e 12hi产品自2024年四季度量产以来，良率持续优化，成为Blackwell平台B300/GB300芯片的核心配套。产能方面，SK海力士将M15X工厂的TSV扩产计划提前至2025年底，并改造旧厂M10以应对2026年HBM4需求，显示出对长期市场的积极布局。
三星电子因HBM3e认证延迟遭遇短期困境。由于1Q25提交的改版设计需重新验证，其出货重心被迫延后至下半年，导致2025年出货量预测下修至6.8B Gb，市占率降至29%。三星的挑战不仅在于技术验证，还面临中国市场的出口限制——其HBM3e原本计划供应中国客户的H20 Ultra芯片订单被SK海力士取代。为应对产能压力，三星正将部分NAND Flash产线转为HBM后段封测，但转换效率尚存不确定性。
美光科技则通过激进扩产和技术突破实现逆袭。2025年其HBM出货量预计达4.5B Gb，市占率从2023年的4%跃升至19%，主要得益于台湾厂区的TSV产能扩张（年底达55K）及HBM3e 12hi良率提升。美光在1Q25完成NVIDIA的HBM3e 12hi认证后，迅速成为Blackwell平台的第二供应商，并计划通过收购AUO台南厂房进一步扩大产能。不过，其过度依赖单一客户（NVIDIA）和台湾供应链的地缘风险仍需警惕。
客户需求动态
NVIDIA的需求增长主要来自Blackwell平台的升级。B100/B200芯片配套8颗HBM3e 8hi（192GB），而B300/GB300则升级至8颗HBM3e 12hi（288GB），推动单芯片HBM容量提升50%。由于美国出口限制，NVIDIA在1Q25向中国客户大量出货H20 Ultra芯片（配套HBM3e 8hi），导致当季HBM消耗量季增36%。不过，2Q25因新旧产品切换可能出现短期需求回调。
AMD的MI350系列芯片虽搭载HBM3e 12hi，但因性能与性价比不足，市场份额停滞在7%。其中国特供版MI308芯片（配套HBM3e 12hi 4颗）因政策限制提前采购，反而成为1Q25出货主力。AMD对三星的技术依赖（HBM3e 12hi由三星独家供应）可能限制其未来议价能力。
Google和AWS的ASIC需求呈现分化。Google的TPU v6芯片转向HBM3e 8hi，并引入SK海力士作为新供应商，但整体增速落后于GPU市场，份额从2023年的26%下滑至10%。AWS则通过Tranium v3芯片（配套6颗HBM3e 12hi）实现技术跃进，并采取多供应商策略（三星、SK海力士、美光）降低风险，2025年份额提升至8%。
技术演进与成本挑战
HBM3e 12hi的量产成为2025年技术突破重点。该产品通过增加堆叠层数（12层）和TSV密度，将单颗容量从24GB提升至36GB，但同时也带来更大的生产挑战——例如，TSV穿孔数增加导致前段工艺良率下降，SK海力士的初期良率仅为65%，美光则通过优化蚀刻工艺将其提升至75%。
封装技术的革新亦影响成本结构。NVIDIA在Rubin平台中采用CoWoS-L封装，将8颗HBM4 12hi直接集成于逻辑芯片周围，虽提升带宽但增加了中介层（interposer）的复杂度和成本。此外，HBM4的晶粒尺寸较前代增大20%，使得每片晶圆的可切割芯片数减少，进一步推高单位成本。
供需平衡与长期风险
2025年HBM的S/D Ratio（供应/需求比）预计为39.7%，较2024年的88.6%大幅收窄，反映供需趋于平衡。但隐性风险仍存：一方面，CoWoS封装周期长（1-2个月）迫使客户提前备货，可能掩盖真实需求；另一方面，AI芯片的算力需求可能被算法优化抵消——例如DeepSeek的模型压缩技术可减少30%的HBM占用，导致2026年后需求增速放缓至67%。
长期来看，HBM市场的增长将依赖技术迭代而非单纯产能扩张。2028年NVIDIA计划推出配套16颗HBM4e的下一代平台，单芯片容量或突破512GB，但这也要求TSV密度和散热技术的同步升级。若供应商无法解决HBM4e的良率问题（目前预计初期良率低于60%），可能导致新一轮供应短缺和价格波动。
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