韩国工业联合会（FKI）周一发布了一份报告，调查韩国10大核心出口行业的200家企业，评估韩国与美国、日本和中国的竞争力。报告总结指出，到2030年，中国将在每一行业中都超过韩国。
调查的行业包括半导体、显示器、钢铁、电子、汽车及零部件、通用机械、造船、次级电池、石化和生物制药。报告将韩国当前的竞争力评为100分的基线分数。中国得分为102.2，高于日本的93.5，但低于美国的107.2。五年后，中国的得分预计将升至112.3，接近美国的112.9。FKI产业创新团队负责人柳成元表示：“韩国企业已经落后于美国和中国，未来五年这一差距只会进一步扩大。”
韩国将在2030年前失去芯片主导地位
FKI的调查中中国目前在五个行业落后于韩国：半导体，得分99.3;电子学99;造船业为96.7;石化产品为96.5;生物制药为89.2。但预计到2030年，中国将在这五项领域全部超过韩国，半导体得分分别为107.1，电子领域得分为113。韩国造船厂如HD现代重工和韩华海洋，这些美国客户需求不断增长的造船厂，也可能面临竞争力的削弱。今年9月，中国两大造船厂完成合并，成为全球最大的造船厂，资产总额达4000亿元人民币（562亿美元），合并营业收入达1300亿元人民币。
美国的竞争也在加剧。目前，韩国唯一在钢铁行业中占优的是美国的竞争力评分为98.8;造船速度90.8;副炮火力89.5。到2030年，美国预计将在钢铁领域超越韩国，仅在两个领域领先韩国。
“决定企业竞争力的六大关键因素是价格、生产率、政府支持、熟练劳动力、核心技术和品牌影响力，”柳说。“到2030年，中国预计将在全部六项中超过韩国，美国将在五项中超过——除了生产力。”
半导体可能是这10个领域里韩国自己认为跟中国差距最小的一个行业，尤其是以三星和SK海力士为代表的存储行业，韩国现在在全球拥有几乎统治性的优势，占据全球半数以上的市场份额。韩国半导体领导者三星电子和SK海力士还能保持全球主导地位多久？随着中国半导体制造三巨头正在迅速缩小差距，这一问题日益紧迫，这对韩国的芯片霸主地位构成了严峻挑战。两家韩国公司同时预测，中国的存储芯片制造商可能会在五年内超越他们。在NAND闪存方面，中国今年早些时候开始批量生产270层三维NAND芯片，缩小了与SK海力士321层和三星286层的技术差距。预计中国将在明年下半年跨越400层NAND，完全跳过300层里程碑。在DRAM领域，中国企业通过以约竞争对手一半的价格销售上一代DDR4芯片，正在掀起市场格局。业内观察人士表示，三星、SK海力士和美国芯片制造商美光目前的三方主导地位可能很快崩溃。在半导体制造领域，根据市场追踪机构Counterpoint Research的数据，今年第三季度，中芯国际在全球代工市场的份额为5%，紧随三星的8%。
存储利润高，三星和海力士不认输
随着大型科技公司因AI数据中心及其他基础设施的扩展而持续面临长期内存短缺的情况，目前依然处于存储器市场领先的三星和海力士拥有大量的利润可以进行投资。外界普遍预期三星电子和SK海力士明年的营业利润将远超今年的两倍。科技行业预测，这场“半导体超级周期”并非每七到八年才出现一次的周期性繁荣，而是源自结构性原因的前所未有的繁荣。
TrendForce报告称，第三季度末全球DRAM供应商的平均库存周转周期为3.3周，创历史最低。这意味着内存制造商可能在三周内耗尽全部DRAM库存。摩根士丹利表示：“考虑到人工智能基础设施投资规模及超大规模客户趋势，DRAM峰值价格预计将在2018年初超越云驱动超级周期的历史高点”，并补充道：“关键问题是内存行业利润是否会持续增长到2027年，这取决于2026年中期的形势。” 预计这两家半导体公司明年利润将大幅增长的原因，是因为DRAM价格出现了异常的上升趋势。分析显示，随着高单价HBM供应增加以及通用DRAM价格上涨，这些公司可能实现利润的双重提升。
10月底到11月初，全球对未来发展的目光聚焦在首尔，韩国政府短暂稳定后决定开启AI强国的战略。为了确保面对未来竞争，特别是面对中国竞争对手的挑战，海力士和三星开启了全面投资巩固竞争优势的撒钱计划。
作为英伟达HBM3项目最大的受益者，SK海力士不仅面临着美光的订单分摊，还要面临三星的后来者居上挑战，当然还有中国竞争对手的苦苦追赶。为此，SK海力士公布扩大对其新芯片集群的投资计划，将增强其对人工智能热潮中全球内存芯片需求激增的响应能力。SK集团董事长蔡泰元表示，SK海力士计划到2028年将对首尔南部的龙仁半导体集群投资增加，超过最初计划的128万亿韩元（855亿美元）。
“随着对内存芯片需求增长和制造工艺升级的需求增加，投资金额也在不断变化。” 蔡补充道，“虽然难以准确估算，但仅龙仁就将投入约600万亿韩元。” 据消息人士透露，龙仁政府最近将该地块的容积率从之前的350%提高到490%，建筑高度限制也从之前的120米放宽到150米。这些是针对2019年首次公布的计划调整，是因为SK海力士计划将拟定芯片集群的洁净室总规模扩大50%，以进一步增强AI热潮中的产能。龙仁半导体集群将拥有四座晶圆厂，每座工厂规模相当于位于首尔以南137公里清州新建的六座M15X晶圆厂，投资额为20万亿韩元。这意味着永仁集群每一座新建的晶圆厂需要120万亿韩元，或者四个厂房需要480万亿韩元。专家表示，考虑到通胀和生产设备技术发展速度，调整后的600万亿韩元投资目标可能合理。
一位行业观察人士表示：“随着永仁半导体集群拥有庞大的产能，每一座晶圆厂建设都将对全球存储芯片市场产生重大影响。”相关人士则表示，“公司对全球内存芯片需求急剧上升的响应将取决于项目进展。”
更为财大气粗的三星电子周日公布了未来五年内投资3100亿美元的计划，主要投资于驱动人工智能的技术。最直接的投资是在平泽园区开始建设第五座工厂（P5），计划于2028年前完成并实现全面运营，以扩大下一代存储半导体（HBM）的生产。预计将投资至少60万亿韩元。三星去年因半导体市场表现疲软和内存订单减少而推迟了该项目。据《朝鲜日报》报道，这一决定在最近的应急管理委员会会议上得到确认，凸显了三星兑现在这段时间内创造6万个就业岗位承诺的战略。
除了存储产能的扩充之外，三星还全力加注AI市场，从半导体制造到面板，希望借助这波存储红利填补之前两年投资方面的欠缺。三星还特别成立战略投资部门，由曾经负责收购汽车电子公司哈曼的负责人执掌，瞄准了未来AI与汽车电子的结合。此外，三星SDS正在推进多站点基础设施战略，包括全罗南道国家计算中心和龟尾的AI数据中心。三星SDI正在考察其蔚山工厂，计划国内生产下一代电池，包括全固态电池。三星显示计划明年在忠清南道阿山园区开始大规模生产用于IT设备的有机发光二极管（OLED）面板。
除了携手马斯克填补三星美国工厂的产能之外，三星电子还公布了与英伟达合作建立人工智能巨型半导体工厂的计划，目标是将人工智能整合到整个制造运营中。该设施将利用超过5万个英伟达图形处理器（GPU），将人工智能能力注入半导体生产的每一个阶段，包括设计、工艺管理、设备运行和质量保证，同时让通过数字孪生和预测性维护提升制造效率。三星表示，这将成为公司数字化转型的核心。黄仁勋表示，“作为韩国乃至全球领先的科技和产业领导者之一，三星正与英伟达共同打造人工智能基础，引领智能和自主制造的未来——改变三星自身以及全球众多基于三星技术的产业。”这样的合作对英伟达来说并不仅仅是客户，如果三星工厂效率达到预期，未来很有可能成为英伟达的AI处理器代工新选择。
新的工厂建设中，三星正在使用Nvidia GPU、Nvidia CUDA-X库以及Synopsys、Cadence和Siemens的解决方案，以实现电路仿真、验证和制造分析的加速，同时提升效率。三星电子执行董事长李在镕表示：“英伟达是这个新AI时代的先驱，其技术赋能创新者重新定义行业。从1995年三星为英伟达颠覆性显卡开发的DRAM到我们的新AI工厂，我们非常高兴能继续与英伟达长期合作，引领这场转型，展望未来新标准，加速全球突破。”该设施将配备实时数字孪生，支持运营规划、异常检测和物流优化，有助于减少环境影响。
两家公司表示，他们的合作带来了20倍的性能提升和半导体制造业的可扩展部署。
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