在今日开幕的2025中国国际半导体博览会(IC China 2025)上,中国领先的存储芯片制造商长鑫存储正式发布了其最新DDR5内存产品系列,并同步展示了高性能LPDDR5X移动内存。此次以“双芯共振,5力全开”为主题的重磅发布,标志着长鑫存储在内存速率与容量两大核心维度上均已达到全球第一梯队水平,国产存储芯片具备了与国际一线厂商同台竞争的技术实力。
随着算力需求,特别是AI应用对数据处理能力要求的激增,高速、大容量内存已成为产业发展的关键。长鑫存储此次发布的新一代DDR5产品,最高速率达到8000Mbps,较当前市场主流的6400Mbps产品提升25%,性能直接对标国际顶级标准。同时,长鑫存储重点推出了24Gb大容量颗粒,超越了标准的16Gb容量。这对于大规模数据中心而言意义重大,意味着能够在有限的物理空间内实现内存容量的显著提升,从而高效支撑更大AI模型的加载与复杂的多任务处理,满足数据中心快速扩容的刚性需求。
为将先进的芯片颗粒能力转化为全面的市场解决方案,长鑫存储构建了覆盖全场景的七大模组产品矩阵。该矩阵完整涵盖了从云端数据中心到边缘计算设备的各类需求:
· 服务器领域: 提供了包括RDIMM、MRDIMM乃至更前沿的TFF MRDIMM在内的多种模组,表明长鑫存储已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的能力。
· PC与终端领域: 涵盖了主流台式机的UDIMM、笔记本电脑的SODIMM。
· 高端市场: 特别推出了集成时钟驱动芯片(CKD)的CUDIMM与CSODIMM模组。这些紧跟JEDEC最新标准的产品,有效解决了高频信号衰减问题,为PC和工作站冲击更高运行频率提供了关键支持。
同期展示的还有长鑫存储于10月发布的LPDDR5X移动端内存,其最高速率达10667 Mbps,最高颗粒容量16Gb,并提供了从12GB到32GB的多种封装方案,旨在满足旗舰移动设备对高性能与低功耗的严苛要求。
长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示:“当前,由AI驱动的DRAM需求正经历爆发式增长,这对市场供给和价格都产生了深远影响。中国迫切需要稳定、自主的国产DRAM产能。通过持续的产能扩张与规模效应,长鑫存储致力于减少对海外产能的依赖,为全球市场提供多元化的高端存储选择。”
在全球存储市场迎来AI驱动的产业新周期之际,长鑫存储此次系列高端产品的发布,不仅强化了其具有国际竞争力的产品线,精准契合了市场对高端内存的海量需求,更将有力拉动本土服务器、数据中心等上下游产业生态的升级,推动中国集成电路产业链向高附加值环节持续迈进。
转自:芯通社
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