上世纪八九十年代,随着硼酸盐基非线性光学晶体的发展,波长在300 nm以下的高功率DUV固态激光器得到了发展。而后,随着高功率近红外激光器的发展,四次谐波光源的研制也得到了推进。关于四次谐波的平均输出功率,自2000年以来,多横模高功率纳秒脉冲激光器作为基波的DUV平均输出功率为12 ~ 40 W。自2009年以来,单横模高功率纳秒脉冲激光器作为基波的DUV平均输出功率为10 ~ 15 W。
最近,以单横模高功率皮秒脉冲激光器为基波的DUV平均输出功率为12 ~ 20 W。据报道,2020年,使用由皮秒脉冲振荡器和Yb:YAG innoslab放大器和BBO晶体组成的基波,在258 nm处得到的平均输出功率为20 W,重复率为1 kHz。2021年,据报道,使用由皮秒脉冲振荡器和Yb:YAG碟片放大器组成的基波,在258 nm处得到的平均输出功率为20 W。
除了高平均功率外,稳定的长期DUV输出对工业应用至关重要。2002年,据报道,在20 W的功率下连续产生DUV 100小时,然而,功率退化很明显,20 W的功率仅维持了50小时。其他研究也显示了类似的功率退化,实现高功率DUV固体激光器的长期稳定运行仍然是一个关键问题。
2013年相关DUV报道,使用增益开关LD和线宽0.1 nm、峰值功率2.1 MW的混合放大器的基波输出。高峰值功率皮秒脉冲与大口径长BBO晶体的组合满足了DUV生成的光谱和角度接受带宽,同时避免了时间和空间走离引起的转换效率波动。从532 nm到266 nm的转换效率超过50%。BBO晶体特性很好地解决了由线性吸收和双光子吸收引起的温升,并通过满足热接受带宽保持较高的转换效率。
此外,光束发散低于BBO的角接受带宽,这种基础激光源使DUV激光器具有高功率和长期稳定运行。
获得的最大DUV功率受到可用基波功率的限制,工业应用需要更高功率的DUV激光器,通过将基波功率提高到平均140 W,线宽0.4 nm,峰值功率23.3 MW,使用BBO晶体,在1000 kHz重复频率下,DUV的最大平均功率可以达到28 W,从532 nm产生266 nm的转换效率约为30%左右,实现平均功率为20 W和光束质量因子(M2)小于1.3下预计可以保持10000小时。
下图显示了激光源的设置,该激光源由种子激光部分和功率放大器部分组成。种子激光器由种子源、PULSEPICKER和两级光纤前置放大器组成,功率放大器由四级固体放大器和声光调制器(AOM)组成。
固体放大器用于功率放大级的放大器有1到4级。放大晶体为钕掺杂钒酸钇(Nd:YVO4)晶体。为了防止寄生振荡,增加了1°的楔形角,并将AR涂层在1064 nm处的反射率设置为小于0.1%。Nd:YVO4晶体的四面被铟箔包裹,并固定到水冷散热器上。使用波长为880 nm的锁波长LD作为泵浦源,该泵浦源是带内泵浦源,在晶体中热效应较小。泵浦源通过400 μm芯径渐变折射率光纤传输,并通过准直透镜和聚焦透镜模块入射到Nd:YVO4晶体中。
泵浦功率、放大功率和放大器各级的增益
功率放大器的平均功率特性
平均功率为125 W光束直径为φ2.0 mm的1064 nm激光射入的LBO晶体,在532 nm处的平均功率为88.9 W,转换效率为71.9%。测量线宽和脉冲持续时间,分别为0.042 nm和11 ps,峰值功率为13.6 MW,光束质量因子M2= 1.2。平均功率为87.9 W直径为φ1.6 mm的532 nm激光射BBO晶体,在266 nm处的平均功率为25.4 W,转换效率为28.9%。

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来源:奥创光子
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