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在高频宽存储器（HBM）设备市场中，科林研发（Lam Research）继前段制程设备，再将势力范围扩大至后段制程设备。据韩媒最新消息，科林研发正为三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）供应HBM用蚀刻设备、镶嵌（Damascene）设备。
据韩媒Theelec报导，科林研发正为三星电子、SK海力士独家供应TSV封装用蚀刻设备、镶嵌设备，而在后段制程设备领域中，虽然应材（Applied Materials）等传准备进入HBM用设备市场，但科林研发仍是唯一向三星、SK海力士独家供应设备的业者。
同样对存储芯片虎视眈眈的中国，科林研发也是绕不开的硬伤，除了HBM用蚀刻设备，科林研发的100:1以上的高深宽比蚀刻同样是中国存储厂商诸如长江存储与合肥长鑫的唯一选择，而今被美国纳入实体清单的长江存储已无法再获得上述设备，甚至零配件也无法取得，长存董事长陈南翔在今年SEMI的公开演讲大肆批评进口设备商的断供不遵守合同。
据悉，三星、SK海力士使用的是科林研发的Syndion、SABRE 3D系列产品。Syndion主打深硅晶蚀刻，用于制作更大型且更高的深宽比结构，如TSV、沟槽；SABRE 3D则面向晶圆级封装（WLP）、TSV，可提供铜镶嵌制程所需的精密度。
从技术面来看，HBM是以垂直方式连结数颗DRAM，较既有DRAM能大幅提高资料处理速度产品，主要透过贴附多个芯片完成，其中备受关注的技术首推TSV封装，而TSV为3D IC堆栈式芯片技术，以垂直导通来整合晶圆堆栈的方式，让芯片能如高楼般堆栈。
具体来说，TSV是在芯片钻出小洞，从底部填充入金属，因而过程须透过蚀刻或雷射方式钻孔（via），再以铜、多晶硅、钨等导电材料填满而成。而科林研发蚀刻设备主要用于钻孔，镶嵌设备则用于铜镶嵌填充。
值得关注的是，由于HBM选择3D堆栈技术，其直接结果就是界面变得更宽。而依照三星、SK海力士的HBM发展蓝图，2026年预计上市的HBM4将采2,048位元界面，高出目前量产中的HBM3一倍。
这也意味着，界面宽度将从每堆栈1,024位元，增加至每堆栈2,048位元，理论上也可以使传送速率再次翻倍，而这样的趋势有望拉动蚀刻设备、镶嵌设备需求。
在此背景下，科林研发近日于南韩天安开设事务所。外界推测，此举可能是为方便三星电子等客户服务。
事实上，三星规划于天安工厂新设HBM封装产线，近日也与三星显示器（Samsung Display；SDC）签订特殊关系人资产转让合约，以105亿韩元（约795万美元）收购SDC天安工厂部分建筑与设施，规划在天安工厂新设HBM封装产线。
三星与SK海力士透过与全球最优秀的设备商合作开发更先进工艺与设备，并结合自身资本优势构建产能护城河，除了在三星、SK海力士、美光的三强高强度对抗中保持竞争力以外，也将带动全球存储三强进一步拉开与中国存储厂家的差距。
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